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初步
字节10 ：控制寄存器10
（续）
位
2
@Pup
0
名字
CLKREQ ＃A
描述
SRC [T / C ] 5 CLKREQ ＃控制
1 = SRC [T / C] 5停止可能由CLKREQ ＃销
0 = SRC [T / C] 5不CLKREQ ＃A引脚控制
SRC [T / C] 3 CLKREQ ＃控制
1 = SRC [T / C] 3停止可能由CLKREQ ＃销
0 = SRC [T / C] 3不CLKREQ ＃A引脚控制
SRC [T / C] 1 CLKREQ ＃控制
1 = SRC [T / C] 1停止可能由CLKREQ ＃销
0 = SRC [T / C] 1不CLKREQ ＃A引脚控制
CY28442-2
1
0
CLKREQ ＃A
0
0
CLKREQ ＃A
该CY28442-2需要并联谐振晶体。
代的串联谐振晶体会引起
CY28442-2要在错误的频率工作，并违反
ppm的规范。对于大多数应用是有300 -ppm的
串联和并联的晶体因之间的频移
不正确加载。
表5.水晶建议
频率
（基金）
14.31818 MHz的
切
AT
加载中加载帽
并行
20 pF的
DRIVE
（ MAX 。 ）
0.1毫瓦
分流帽
（ MAX 。 ）
5 pF的
动感
（ MAX 。 ）
0.016 pF的
公差
（ MAX 。 ）
35 PPM
稳定性
（ MAX 。 ）
30 PPM
老化
（ MAX 。 ）
5 ppm的
水晶装载
晶体装在实现低ppm的perfor-关键作用
曼斯。实现低ppm的性能时，总电容
晶体将会看到，必须考虑到计算了合
priate容性负载（CL） 。
下图显示了一个典型的晶体结构
使用两个微调电容器。对于重要的澄清
以下讨论的是，修剪电容器串联
与晶体不平行。这是一个常见的误解
负载电容是平行于晶体和应
大约等于晶体的负载电容。
这是不正确的。
图1.晶体电容澄清
计算负载电容
除了标准的外部调整电容，跟踪
电容和引脚电容，还必须考虑到
正确计算晶体负载。如前面所提到的，
在晶体的每一侧上的电容是串联在
水晶。这意味着上的每一侧上的总电容
晶体必须是两倍于规定的晶体负载电容
（CL） 。而在晶体的每一侧上的电容是在
系列水晶，装饰电容（CE1方式， CE 2）应
计算提供平等的容性负载两侧。
文件编号： 38-07691牧师**
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