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HGTG12N60A4D ， HGTP12N60A4D ， HGT1S12N60A4DS
典型性能曲线
3.0
频率= 1MHz的
C，电容（ NF）
2.5
2.0
C
IES
1.5
1.0
C
OES
0.5
C
水库
0
0
5
10
15
20
25
除非另有规定编
（续）
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
2.4
占空比< 0.5 ％ ，V
GE
= 15V
脉冲宽度= 250μs的，T
J
= 25
o
C
2.3
2.2
I
CE
= 18A
2.1
I
CE
= 12A
2.0
I
CE
= 6A
1.9
8
9
10
11
12
13
14
15
16
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
V
GE
，门到发射极电压（ V）
图17.电容VS集电极到发射极
电压
图18.集电极到发射极导通电压
VS门到发射极电压
14
I
EC
，正向电流（ A）
12
10
8
6
4
2
0
占空比< 0.5 ％ ，
脉冲宽度= 250μs的
t
rr
，恢复时间（纳秒）
125
o
C
25
o
C
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
125
o
TA
25
o
TRR
25
o
TA
25
o
TB
9
10
11
12
dI
EC
/ DT = 200A / μs的
125
o
TRR
125
o
TB
V
EC
，正向电压（ V）
I
EC
，正向电流（ A）
图19.二极管的正向电流与正向
电压降
图20.恢复时间VS正向电流
QRR ，反向恢复电荷（ NC ）
65
60
TRR ，恢复时间（纳秒）
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
200
300
400
500
600
700
800
25
o
TA
25
o
TB
900
1000
125
o
TA
125
o
TB
I
EC
= 12A ，V
CE
= 390V
400
350
300
250
200
150
100
50
0
200
V
CE
= 390V
125
o
C I
EC
= 12A
125
o
C I
EC
= 6A
25
o
C I
EC
= 12A
25
o
C I
EC
= 6A
300
400
500
600
700
800
900
1000
di
EC
/ DT ，速率改变目前的条件是（A / μs）内
di
EC
/ DT ，速率改变目前的条件是（A / μs）内
图21.恢复时间VS变化率的
当前
图22.存储电荷VS变化率的
当前
2-6
