HGTG12N60A4D ， HGTP12N60A4D ，

HGT1S12N60A4DS

数据表

1999年11月

网络文件编号

4697.3

600V ，开关电源系列N沟道IGBT具有

反并联二极管超高速

该HGTG12N60A4D ， HGTP12N60A4D和

HGT1S12N60A4DS是MOS门控高压开关

器件的MOSFET相结合的最佳功能和

双极型晶体管。这些器件具有高输入

MOSFET的阻抗和低的导通状态导通

损失一个双极晶体管组成。在低得多的导通电压

降变化只是适度的25

o

C和150

o

C.该

IGBT采用的是开发式TA49335 。二极管

反并联使用的是发展型TA49371 。

这IGBT适用于多种高压开关

在高频率下操作的应用，其中低

导通损耗是必不可少的。该装置已

对于高频开关模式电源优化。

以前发育类型TA49337 。

特点

>100kHz操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 390V ，12A

200kHz的操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 390V ，9A

600V开关SOA能力

典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为70ns在T

J

= 125

o

C

低传导损耗

温度补偿

SABER 模型

www.intersil.com

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组件到PC板

包装

JEDEC TO- 220AB替代版本

E

C

订购信息

产品型号

HGTG12N60A4D

HGTP12N60A4D

HGT1S12N60A4DS

包

TO-247

TO-220AB

TO-263AB

BRAND

12N60A4D

12N60A4D

12N60A4D

G

集热器

（法兰）

注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A

获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，如

HGT1S12N60A4DS9A.

JEDEC TO- 263AB

符号

C

集热器

（法兰）

G

E

JEDEC风格-247

G

E

C

G

E

集热器

（法兰）

Intersil公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权

4,364,073

4,598,461

4,682,195

4,803,533

4,888,627

4,417,385

4,605,948

4,684,413

4,809,045

4,890,143

4,430,792

4,620,211

4,694,313

4,809,047

4,901,127

4,443,931

4,631,564

4,717,679

4,810,665

4,904,609

4,466,176

4,639,754

4,743,952

4,823,176

4,933,740

4,516,143

4,639,762

4,783,690

4,837,606

4,963,951

4,532,534

4,641,162

4,794,432

4,860,080

4,969,027

4,587,713

4,644,637

4,801,986

4,883,767

2-1

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。

SABER 是类比公司的商标。

1-888- INTERSIL或407-727-9207

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版权

Intersil公司1999