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HGTG12N60A4D ， HGTP12N60A4D ， HGT1S12N60A4DS
典型性能曲线
115
t
D（ OFF ）I
，关断延迟时间（纳秒）
R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
110
105
100
95
V
GE
= 12V, V
GE
= 15V ，T
J
= 25
o
C
90
85
t
fI
，下降时间（ NS ）
V
GE
= 12V, V
GE
= 15V ，T
J
= 125
o
C
80
70
60
50
40
30
20
10
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V或15V
T
J
= 125
o
C，V
GE
= 12V或15V
除非另有规定编
（续）
90
R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11.关断延迟时间与收藏家
发射极电流
图12. FALL时间与集电极到发射极
当前
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
250
V
GE
，门到发射极电压（ V）
占空比< 0.5 ％ ，V
CE
= 10V
脉冲宽度= 250μs的
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
T
J
= 125
o
C
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
I
G（ REF ）
= 1毫安，R
L
= 25, T
C
= 25
o
C
200
V
CE
= 600V
150
V
CE
= 400V
100
V
CE
= 200V
50
0
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
10
20
30
40
50
60
70
80
V
GE
，门到发射极电压（ V）
Q
G
，栅极电荷（ NC）
图13.传输特性
图14.门充电波形
1.2
1.0
E
总
，总交换
能量损失（兆焦耳）
0.8
R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V, V
GE
= 15V
E
总
= E
ON2
+ E
关闭
10
I
CE
= 24A
0.6
0.4
I
CE
= 12A
0.2
I
CE
= 6A
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
E
总
，总交换
能量损失（兆焦耳）
T
J
= 125
o
C，L = 500μH ，
V
CE
= 390V, V
GE
= 15V
E
总
= E
ON2
+ E
关闭
I
CE
= 24A
1
I
CE
= 12A
I
CE
= 6A
0.1
5
10
100
R
G
，栅极电阻（ Ω ）
1000
图15.总开关损耗VS案例
温度
图16.总开关损耗VS栅极电阻
2-5
