HI- 506A ， HI- 507A ， HI- 508A ， HI- 509A
模具特点
DIE尺寸：
108密耳X 83密耳
金属化：
类型： CUAL
厚度： 16K
±2k
衬底电位（注） ：
-V
供应
钝化：
SILOX ： 12K
±2k
氮化物： 3.5K
±1k
注：衬底电阻出现在-V
供应
终端，因此，它可以留浮动（绝缘模具摩） ，或者它可以安装在一
导体-V
供应
势。
最坏情况下的电流密度：
1.4 x 10
5
A /厘米
2
晶体管数量：
253
过程：
CMOS -DI
金属掩膜布局
HI-508A
HI-509A
在6
(11)
7合8
(10) (9)
OUT
(8)
4合3
(7)
(6)
在3B中4B OUT B
(11) (10)
(9)
OUT A
(8)
在4A 3A中
(7)
(6)
在5
(12)
+V
(13)
GND
(14)
IN 2
(5)
IN 1
(4)
-V
(3)
在2B
(12)
在1B
(13)
+V
(14)
在2A
(5)
在1A
(4)
-V
(3)
A
2
(15)
A
1
(16)
A
0
(1)
EN
(2)
GND
(15)
A
1
(16)
A
0
(1)
EN
(2)
15
FN3143.5
2004年11月22日
