HI- 506A ， HI- 507A ， HI- 508A ， HI- 509A
模具特点
DIE尺寸：
159密耳X 83.9密耳
金属化：
类型： CUAL
厚度： 16K
±2k
衬底电位（注） ：
-V
供应
钝化：
SILOX ： 12K
±2k
氮化物： 3.5K
±1k
注：衬底电阻出现在-V
供应
终端，因此，它可以留浮动（绝缘模具摩） ，或者它可以安装在一
导体-V
供应
势。
最坏情况下的电流密度：
1.4 x 10
5
A /厘米
2
晶体管数量：
485
过程：
CMOS -DI
金属掩膜布局
HI-506A
EN
(18)
A
0
(17)
A
1
A
2
(16) (15)
A
3
V
REF
(14) (13)
GND
(12)
EN
(18)
A
0
(17)
HI-507A
A
1
A
2
(16) (15)
NC V
REF
(14) (13)
GND
(12)
IN 1
(19)
IN 2
(20)
9
(11)
在10
(10)
在1A
(19)
在2A
(20)
在1B
(11)
在2B
(10)
IN 3
(21)
在4
(22)
在11
(9)
在12
(8)
在3A
(21)
在4A
(22)
在3B
(9)
在4B
(8)
在5
(23)
在6
(24)
在13
(7)
14
(6)
在5A
(23)
在6A
(24)
在5B
(7)
在6B
(6)
在7
(25)
在8
(26)
在15
(5)
在16
(4)
在7A
(25)
在8A
(26)
在7B
(5)
在8B
(4)
V- (27)
OUT （ 28 ）
+V (1)
数控（2）
V- (27)
OUT A（ 28 ）
+V (1)
OUT B （ 2 ）
14
FN3143.5
2004年11月22日
