PD - 95305
IRF7433PbF
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
超低导通电阻
P沟道MOSFET
表面贴装
可在磁带卷&
LEAD -FREE
V
DSS
-12V
R
DS （ ON）
最大
24m@V
GS
= -4.5V
30m@V
GS
= -2.5V
46m@V
GS
= -1.8V
I
D
-
8.7A
-
7.4A
-
6.3A
描述
从国际这些P沟道MOSFET
整流器采用先进的加工技术，
实现每个硅极低的导通电阻
区。这样做的好处为设计者提供了一个
非常有效的装置，电池和负载使用
管理应用程序..
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架用于增强热性能和
多模能力使它成为理想的各种
电源应用。有了这些改进，多
设备可用于在应用程序中使用显着
减少了电路板空间。该软件包是专为
气相，红外，或波焊工艺。
S
1
2
3
4
8
7
A
D
D
D
D
S
S
G
6
5
顶视图
SO-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
T
J
, T
英镑
漏源电压
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
漏电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
马克斯。
-12
-8.9
-7.1
-36
2.5
1.6
0.02
±8
-55到+150
单位
V
A
W
W
W / ℃，
V
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境
马克斯。
50
单位
° C / W
www.irf.com
1
10/12/04
