IRF7433PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
-12
–––
–––
-0.4
22
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.007
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
20
4.5
4.0
8.8
8.2
272
175
1877
512
310
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= -1mA
24
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -8.7A
毫欧V
GS
= -2.5V ，我
D
= -7.4A
30
46
V
GS
= -1.8V ，我
D
= -6.3A
-0.9
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
–––
S
V
DS
= -10V ，我
D
= -8.7A
-1.0
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0V
A
-25
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0V ，T
J
= 70°C
-100
nA的V
GS
= -8V
100
V
GS
= 8V
–––
I
D
= -8.7A
–––
nC
V
DS
= -6V
–––
V
GS
= -4.5V
13
V
DD
= -6V, V
GS
= -4.5V
ns
12
I
D
= -1.0A
408
R
D
= 6
263
R
G
= 6
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= -10V
–––
= 1.0MHz的
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
36
28
-2.5
A
-36
-1.2
54
42
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= -2.5A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= -2.5A
的di / dt = -100A / μs的
D
S
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
当安装在1平方英寸的铜电路板，T < 10秒。
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
2
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