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PD - 95305

IRF7433PbF

HEXFET

功率MOSFET

超低导通电阻

P沟道MOSFET

表面贴装

可在磁带卷&

LEAD -FREE

DSS

-12V

DS （ ON）

最大

24m@V

= -4.5V

30m@V

= -2.5V

46m@V

= -1.8V

8.7A

7.4A

6.3A

描述

从国际这些P沟道MOSFET

整流器采用先进的加工技术，

实现每个硅极低的导通电阻

区。这样做的好处为设计者提供了一个

非常有效的装置，电池和负载使用

管理应用程序..

采用SO-8已经通过定制进行了修改

引线框架用于增强热性能和

多模能力使它成为理想的各种

电源应用。有了这些改进，多

设备可用于在应用程序中使用显着

减少了电路板空间。该软件包是专为

气相，红外，或波焊工艺。

顶视图

SO-8

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

= 70°C

, T

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

@ -4.5V

连续漏电流， V

@ -4.5V

漏电流脉冲

最大功率耗散

线性降额因子

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

-12

-8.9

-7.1

-36

2.5

1.6

0.02

±8

-55到+150

单位

W / ℃，

°C

热阻

参数

θJA

最大结点到环境

马克斯。

单位

° C / W

www.irf.com

10/12/04

IRF7433PbF

电气特性@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

（ BR ） DSS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

-12

–––

-0.4

–––

典型值。

–––

0.007

–––

4.5

4.0

8.8

8.2

272

175

1877

512

310

MAX 。单位

条件

–––

= 0V时，我

= -250A

--- V / ° C参考到25° C，I

= -1mA

= -4.5V ，我

= -8.7A

毫欧V

= -2.5V ，我

= -7.4A

= -1.8V ，我

= -6.3A

-0.9

= V

, I

= -250A

–––

= -10V ，我

= -8.7A

-1.0

= -9.6V, V

= 0V

-25

= -9.6V, V

= 0V ，T

= 70°C

-100

nA的V

= -8V

100

= 8V

–––

= -8.7A

–––

= -6V

–––

= -4.5V

= -6V, V

= -4.5V

= -1.0A

408

= 6

263

= 6

–––

= 0V

–––

= -10V

–––

= 1.0MHz的

源极 - 漏极额定值和特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

-2.5

-36

-1.2

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

= 25 ° C，I

= -2.5A ，V

= 0V

= 25 ° C，I

= -2.5A

的di / dt = -100A / μs的

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。

当安装在1平方英寸的铜电路板，T < 10秒。

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

www.irf.com

IRF7433PbF

100

VGS

顶部

-10.0V

-7.0V

-4.5V

-3.0V

-2.5V

-1.8V

-1.5V

BOTTOM -1.2V

100

-ID ，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

-10.0V

-7.0V

-4.5V

-3.0V

-2.5V

-1.8V

-1.5V

BOTTOM -1.2V

顶部

-1.2V

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

0.1

100

0.1

20μs的脉冲宽度

TJ = 150℃

100

-VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

100

2.0

= -8.7A

-I

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

= 150

1.0

= 25

V DS = -10V

20μs的脉冲宽度

1.5

2.0

2.5

0.5

1.0

0.0

-60 -40 -20

= -4.5V

20 40 60 80 100 120 140 160

-V

，栅 - 源极电压（ V）

，结温（

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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IRF7433PbF

3200

2800

-V

，栅 - 源极电压（ V）

C，电容（pF ）

2400

2000

1600

1200

800

400

VGS = 0V中，f = 1兆赫

西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路

CRSS = C

COSS =硫化镉+ Cgd的

-8.7A

=-9.6V

=-6V

西塞

科斯

CRSS

100

-VDS ，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

-I

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

-I

，漏电流（ A）

100us

= 150

= 25

1ms

10ms

0.1

0.2

= 0 V

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

-V

，源极到漏极电压（V ）

0.1

= 25 °C

= 150 °C

单脉冲

100

-V

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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9.0

7.5

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

-I

，漏电流（ A）

D.U.T.

6.0

4.5

3.0

图10A 。

开关时间测试电路

D（上）

D（关闭）

1.5

0.0

，外壳温度（ ° C）

100

125

150

10%

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

90%

图10B 。

开关时间波形

100

热响应（Z

thJA

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

0.1

0.00001

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJA

+ T

0.01

0.1

100

0.0001

0.001

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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443

SOP-8

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√ 欧美㊣品

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全新原装现货，原厂代理。

深圳市鑫远鹏科技有限公司

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电话：15112667855

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SOP8

深圳市芯泽盛世科技有限公司

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联系人：陈小姐付先生

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