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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第248页 > ISL6535CRZ
ISL6535
数据表
2008年5月5日
FN9255.1
同步降压脉宽
调制器（PWM ）控制器
该ISL6535是高性能同步控制器
对于要求苛刻的DC / DC转换器的应用程序。它提供
过流保护和被设计为安全地启动
进入预偏置输出负载。
转换器的输出电压可被精确
调节到低至0.597V ，具有最大公差
在商用温度范围内为±1％和± 1.5 ％
在工业温度范围。
该ISL6535提供了简单的，单一的反馈回路，电压 -
模式控制，具有快速的瞬态响应。它包括一个triangle-
波振荡器是低于50kHz可调过
1.5MHz的。全（0％至100％）的PWM占空比载体是
提供的。
误差放大器具有15MHz的增益带宽
产品和6V / μs压摆率使高转换
带宽快速的瞬态性能。
该ISL6535的过电流保护监视当前
通过使用
r
DS （ ON）
上MOSFET ，哪
省去了一个电流检测电阻器。
特点
从+ 12V输入进行操作
出色的输出电压调节
- 0.597V内部参考
-
±1%
在商用温度范围
-
±1.5%
在工业级温度范围
简单的单回路控制设计
- 电压模式PWM控制
快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0 ％至100％占空比
- 领先和下降沿调制
小尺寸转换器
- 恒定频率工作
- 可编程振荡器从50kHz至1.5MHz的过
12V高速MOSFET栅极驱动器
- 2.0A源/汇3A在12V低侧栅极驱动器
- 1.25A源/ 2A源出12V高侧栅极驱动器
- 驱动两个N沟道MOSFET
过电流故障监控器
- 高边MOSFET的
DS （ ON）
传感
- 减少了 120ns的消隐时间
转换器可以提供和吸收电流
软启动完成和外部基准引脚
跟踪应用程序可在QFN封装
引脚兼容ISL6522
支持启动，并进入预偏置负载
无铅可（符合RoHS ）
引脚配置
ISL6535 （ 14 LD SOIC ）
顶视图
RT 1
OCSET 2
SS 3
COMP 4
FB 5
EN 6
7 GND
14 VCC
13 PVCC
12 LGATE
11 PGND
10 BOOT
9 UGATE
8相
应用
电源的一些奔腾和PowerPC ，以及
图形处理器
高功率12V输入DC / DC稳压器
低电压分布式电源
订购信息
ISL6535 （ 16 LD QFN ）
顶视图
SSDONE
OCSET
VCC
部分
数
（注）
ISL6535IBZ*
部分
记号
6535IBZ
65 35IRZ
温度。
范围
(°C)
0至+70
0至+70
包
（无铅）
14 Ld的SOIC
PKG 。
DWG 。 ＃
M14.15
M14.15
RT
ISL6535CBZ * 6535CBZ
ISL6535CRZ * 65 35CRZ
16
SS
COMP
FB
EN
1
2
3
4
5
REFIN
15
14
13
12
PVCC
11
LGATE
10
保护地
9
BOOT
-40到+85 14 Ld的SOIC
16 Ld的4×4 QFN L16.4x4
ISL6535IRZ*
-40到+85 16 Ld的4×4 QFN L16.4x4
*添加“ -T ”或“ -TK ”后缀磁带和卷轴。请参阅TB347为
卷筒规格细节。
注意：这些Intersil无铅产品采用塑料包装
特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属
材料和100 ％雾锡板加退火 - E3终止
完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和兼容
无铅焊接操作。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2006年， 2007年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
6
GND
7
相
8
UGATE
1
ISL6535
框图
EN
SS
VCC
OCSET
国内
调节器
30μA
6μA
参考
V
REF
= 0.597V
BOOT
REFIN
（仅适用于QFN ）
软启动
和
故障逻辑
来源OCP
UGATE
POWER- ON
复位（ POR ）
200μA
FB
EA
PWM
门
控制
逻辑
相
COMP
振荡器
PVCC
LGATE
GND
保护地
SSDONE
（仅适用于QFN ）
RT
2
FN9255.1
2008年5月5日
ISL6535
简化的电源系统图
R
OCSET
+12V
C
VCC
Q1
+ 1.2V至+ 12V
IN
L
OUT
V
OUT
ISL6535
R
FS
C
OUT
Q2
C
SS
R
2
R
1
典型用途
+12V
IN
L
IN
R
滤波器
C
F2
C
F1
VCC
PVCC
BOOT
R
OCSET
OCSET
SSDONE
（仅适用于QFN ）
REFIN
（仅适用于QFN ）
UGATE
L
OUT
相
EN
LGATE
Q2
C
HFOUT
C
布特
V
OUT
C
OCSET
Q1
C
BOOT
D
BOOT
C
HFIN
C
箱子
保护地
R
RT
RT
ISL6535
SS
C
SS
COMP
C
2
C
1
R
2
FB
R
1
GND
R
O
C
3
R
3
3
FN9255.1
2008年5月5日
ISL6535
绝对最大额定值
电源电压，V
PVCC
,V
VCC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 16V
开启电压，V
EN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 16V
软启动完成电压，V
SSDONE
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 16V
启动电压，V
BOOT
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 36V
相电压，V
相
. . . . . . . . . V
BOOT
- 16V到V
BOOT
+ 0.3V
所有其他引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至5.0V
ESD额定值
ESD分类。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
95
不适用
QFN封装（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
47
8.5
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
工作条件
电源电压，V
VCC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +12V
±10%
电源电压，V
PVCC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +12V
±10%
引导到相电压，V
BOOT
- V
相
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <V
PVCC
环境温度范围， ISL6535C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
环境温度范围， ISL6535I 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。为
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
3.限制应被视为典型的和不生产测试。
电气规格
参数
V
CC
电源电流
关断电源V
CC
关断电源V
PVCC
上电复位
V
CC
/V
PVCC
阈值上升
V
CC
/V
PVCC
迟滞
OCSET上升阈值
OCSET滞后
让 - 上升阈值
让 - 滞后
振荡器
修剪测试频率
全变差
斜坡幅度
误差放大器器
DC增益
增益带宽积
压摆率
保护
OCSET电流
OCSET电流
OCSET测量失调
推荐工作条件，除非另有说明规格
胆大
是有效的方法，
温度和线路的运行条件。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
VCC
I
PVCC
SS / EN = 0V
SS / EN = 0V
3.5
0.30
6.1
0.5
8.5
0.75
mA
mA
6.45
170
0.70
180
1.4
175
7.10
250
0.73
200
1.5
250
7.55
500
0.75
220
1.60
325
V
mV
V
mV
V
mV
R
RT
=开V
VCC
= 12
8KΩ <
RT
到GND < 200kΩ的（注3 ）
ΔV
OSC
R
RT
=打开
175
-
1.7
200
±15
1.9
220
-
2.15
千赫
%
V
P-P
R
L
= 10kΩ的，C
L
= 100pF的（注3）
增益带宽积
SR
R
L
= 10kΩ的，C
L
= 100pF的（注3）
R
L
= 10kΩ的，C
L
= 100pF的（注3）
-
-
-
88
15
6
-
-
-
dB
兆赫
V / μs的
I
OCSET
I
OCSET
T
J
= 0 ° C至+ 70°C
T
J
= -40 ° C至+ 85°C
180
176
-
200
200
±10
220
224
-
A
A
mV
OCP
OFFSET
OCSET = 1.5V至15.4V （注3 ）
4
FN9255.1
2008年5月5日
ISL6535
电气规格
参数
软启动电流
参考
参考电压
T
J
= 0 ° C至+ 70°C
T
J
= -40 ° C至+ 85°C
系统精度
T
J
= 0 ° C至+ 70°C
T
J
= -40 ° C至+ 85°C
REFIN电流源（ QFN专用）
REFIN阈值（仅QFN ）
REFIN偏移（仅QFN ）
栅极驱动器
上驱动源电流
上驱动源阻抗
上驱动灌电流
上驱动吸收阻抗
降低驱动源电流
降低驱动源阻抗
下驱动灌电流
下驱动水槽阻抗
SSDONE （ QFN ONLY）
SSDONE低输出电压
I
SSDONE
= 2毫安
-
-
0.30
V
I
U_SOURCE
V
BOOT
- V
相
= 12V， 3nF的负荷（注3）
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
2.0
2
1.3
2
1.3
3
0.94
-
-
-
-
-
-
-
-
A
Ω
A
Ω
A
Ω
A
Ω
0.591
0.588
-1.0
-1.5
-4
2.10
-3
0.597
0.597
-
-
-6
-
-
0.603
0.606
1.0
1.5
-8
3.50
3
V
V
%
%
A
V
mV
推荐工作条件，除非另有说明规格
胆大
是有效的方法，
温度和线路的运行条件。
（续）
符号
I
SS
测试条件
民
22
典型值
30
最大
38
单位
A
R
U_SOURCE
90毫安源电流
I
U_SINK
R
U_SINK
I
L_SOURCE
V
BOOT
- V
相
= 12V， 3nF的负荷（注3）
90毫安源电流
V
PVCC
= 12V， 3nF的负荷（注3）
R
L_SOURCE
90毫安源电流
I
L_SINK
R
L_SINK
V
PVCC
= 12V， 3nF的负荷（注3）
90毫安源电流
典型性能曲线
80
R
RT
引体向上
TO + 12V
I
PVCC + VCC
（MA ）
70
60
50
40
30
20
10
0
100
200
300
400
500
C
门
= 10pF的
600
700
800
900
1000
C
门
= 3300pF
C
门
= 1000pF的
1000
电阻值（kΩ ）
100
R
RT
下拉
到GND
10
10k
100k
开关频率（Hz ）
1M
开关频率（kHz ）
图1。R
RT
电阻与频率
图2.偏置电源电流与频率
5
FN9255.1
2008年5月5日
ISL6535
数据表
2006年1月17日
FN9255.0
同步降压脉宽
调制器（PWM ）控制器
该ISL6535是高性能同步控制器
对于要求苛刻的DC / DC转换器的应用程序。它提供
过流保护和被设计为安全地启动
进入预偏置输出负载。
转换器的输出电压可被精确
调节到低至0.597V ，具有最大公差
在商用温度范围内为±1％和± 1.5 ％
在工业温度范围。
该ISL6535提供了简单的，单一的反馈回路，电压 -
模式控制，具有快速的瞬态响应。它包括一
三角波振荡器，可调范围在50kHz以下
过度1.5MHz的。全（0％至100％）的PWM占空比支持
提供。
误差放大器具有15MHz的增益带宽
产品和6V / μs压摆率使高转换
带宽快速的瞬态性能。
该ISL6535的过电流保护监视当前
通过使用
r
DS （ ON）
上MOSFET免去了
需要一个电流传感电阻器。
特点
从+ 12V输入进行操作
出色的输出电压调节
- 0.597V内部参考
-
±1%
在商用温度范围
-
±1.5%
在工业级温度范围
简单的单回路控制设计
- 电压模式PWM控制
快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0 ％至100％占空比
- 领先和下降沿调制
小尺寸转换器
- 恒定频率工作
- 可编程振荡器从50kHz至1.5MHz的过
12V高速MOSFET栅极驱动器
- 2.0A源/汇3A在12V低侧栅极驱动器
- 1.25A源/ 2A源出12V高侧栅极驱动器
- 驱动两个N沟道MOSFET
过电流故障监控器
- 高边MOSFET的
DS （ ON）
传感
- 减少了 120ns的消隐时间
转换器可以提供和吸收电流
软启动完成和外部基准引脚
跟踪应用程序可在QFN封装
引脚兼容ISL6522
支持启动，并进入预偏置负载
无铅加退火有（符合RoHS ）
引脚配置
ISL6535
（ 14 LD窄体SOIC和16 LD QFN ）
顶视图
RT 1
OCSET 2
SS 3
COMP 4
FB 5
EN 6
7 GND
14 VCC
13 PVCC
12 LGATE
11 PGND
10 BOOT
9 UGATE
8相
应用
电源的一些奔腾和PowerPC ，以及
图形处理器
高功率12V输入DC / DC稳压器
低电压分布式电源
SSDONE
OCSET
RT
VCC
订购信息
12
PVCC
11
LGATE
10
保护地
9
BOOT
16
SS
COMP
FB
EN
1
2
3
4
5
REFIN
15
14
13
部分
数
（注）
ISL6535IBZ
ISL6535IRZ
部分
记号
6535IBZ
6535IRZ
温度。
范围
(°C)
0到70
-40到85
0到70
-40到85
包
（无铅）
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
PKG 。
DWG 。 ＃
M14.15
M14.15
ISL6535CBZ 6535CBZ
ISL6535CRZ 6535CRZ
16 Ld的4×4 QFN L16.4x4
16 Ld的4×4 QFN L16.4x4
6
GND
7
相
8
UGATE
添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成，
模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板终止完成，
这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接兼容
操作。 Intersil无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
温度达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2006.保留所有权利
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
框图
EN
SS
VCC
国内
调节器
30A
6A
参考
V
REF
= 0.597 V
POWER- ON
复位（ POR ）
OCSET
200A
2
REFIN
（仅适用于QFN ）
FB
COMP
GND
FN9255.0
2006年1月17日
BOOT
软启动
和
故障逻辑
来源OCP
UGATE
ISL6535
EA
门
控制
逻辑
PWM
相
PVCC
振荡器
LGATE
保护地
SSDONE
（仅适用于QFN ）
RT
ISL6535
简化的电源系统图
R
OCSET
+12V
C
VCC
Q1
+ 1.2V至+ 12V
IN
L
OUT
V
OUT
C
OUT
ISL6535
R
FS
Q2
C
SS
R
2
R
1
典型用途
+12V
IN
R
滤波器
C
F2
C
F1
VCC
PVCC
BOOT
R
OCSET
SSDONE
（仅适用于QFN ）
REFIN
（仅适用于QFN ）
OCSET
C
OCSET
UGATE
相
EN
LGATE
保护地
R
RT
RT
Q2
C
HFOUT
C
布特
Q1
C
BOOT
L
OUT
L
IN
C
HFIN
D
BOOT
C
箱子
V
OUT
ISL6535
SS
C
SS
COMP
C
2
C
1
R
2
FB
R
1
GND
R
O
C
3
R
3
3
FN9255.0
2006年1月17日
ISL6535
绝对最大额定值
电源电压，V
PVCC
,V
VCC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 16V
开启电压，V
EN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 16V
软启动完成电压，V
SSDONE
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 16V
启动电压，V
BOOT
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 36V
相电压，V
相
. . . . . . . . . V
BOOT
- 16V到V
BOOT
+ 0.3V
所有其他引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至5.0V
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
95
不适用
QFN封装（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
47
8.5
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
电源电压，V
VCC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +12V
±10%
电源电压，V
PVCC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +12V
±10%
引导到相电压，V
BOOT
- V
相
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <V
PVCC
环境温度范围， ISL6535C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
环境温度范围， ISL6535I 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
ESD额定值
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。为
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
由GBD指定3.参数由Design." "Guaranteed
电气规格
参数
V
CC
电源电流
关断电源V
CC
关断电源V
PVCC
上电复位
V
CC
/V
PVCC
阈值上升
V
CC
/V
PVCC
迟滞
OCSET上升阈值
OCSET滞后
让 - 上升阈值
让 - 滞后
振荡器
修剪测试频率
全变差
斜坡幅度
误差放大器器
DC增益
增益带宽积
压摆率
保护
OCSET电流
OCSET电流
OCSET测量失调
软启动电流
推荐工作条件，除非另有说明规格
胆大
是有效的方法，
温度和线路的运行条件。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
VCC
I
PVCC
SS / EN = 0V
SS / EN = 0V
3.5
0.30
6.1
0.5
8.5
0.75
mA
mA
6.55
170
0.70
180
1.4
175
7.10
250
0.73
200
1.5
250
7.55
500
0.75
220
1.60
325
V
mV
V
mV
V
mV
R
RT
=开V
VCC
= 12
8KΩ <
RT
到GND < 200kΩ的 - GBD
V
OSC
R
RT
=打开
175
-
1.7
200
±15
1.9
220
-
2.15
千赫
%
V
P-P
R
L
= 10kΩ的，C
L
= 100pF的 - GBD
增益带宽积
SR
R
L
= 10kΩ的，C
L
= 100pF的 - GBD
R
L
= 10kΩ的，C
L
= 100pF的 - GBD
-
-
-
88
15
6
-
-
-
dB
兆赫
V / μs的
I
OCSET
I
OCSET
T
J
= 0℃至70 ℃的
T
J
= -40 ° C至85°C
180
176
-
22
200
200
±10
30
220
224
-
38
A
A
mV
A
OCP
OFFSET
OCSET = 1.5V至15.4V - GBD
I
SS
4
FN9255.0
2006年1月17日
ISL6535
电气规格
参数
参考
参考电压
T
J
= 0℃至70 ℃的
T
J
= -40 ° C至85°C
系统精度
T
J
= 0℃至70 ℃的
T
J
= -40 ° C至85°C
REFIN电流源（ QFN专用）
REFIN阈值（仅QFN ）
REFIN偏移（仅QFN ）
栅极驱动器
上驱动源电流
上驱动源阻抗
上驱动灌电流
上驱动吸收阻抗
降低驱动源电流
降低驱动源阻抗
下驱动灌电流
下驱动水槽阻抗
SSDONE （ QFN ONLY）
SSDONE低输出电压
I
SSDONE
= 2毫安
0.30
V
I
U_SOURCE
V
BOOT
- V
相
= 12V ， 3nF的负载 - GBD
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
2.0
2
1.3
2
1.3
3
0.94
-
-
-
-
-
-
-
-
A
A
A
A
0.591
0.588
-1.0
-1.5
-4
2.10
-3
0.597
0.597
-
-
-6
-
-
0.603
0.606
1.0
1.5
-8
3.50
3
V
V
%
%
A
V
mV
推荐工作条件，除非另有说明规格
胆大
是有效的方法，
温度和线路的运行条件。
（续）
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
R
U_SOURCE
90毫安源电流
I
U_SINK
R
U_SINK
I
L_SOURCE
V
BOOT
- V
相
= 12V， 3nF的负载的GBD
90毫安源电流
V
PVCC
= 12V ， 3nF的负载 - GBD
R
L_SOURCE
90毫安源电流
I
L_SINK
R
L_SINK
V
PVCC
= 12V ， 3nF的负载 - GBD
90毫安源电流
典型性能曲线
80
R
RT
上拉
TO + 12V
1000
电阻值（kΩ ）
I
PVCC + VCC
（MA ）
70
60
50
C
门
= 1000pF的
40
30
20
10
0
100
200
300
400
500
C
门
= 10pF的
600
700
800
900
1000
C
门
= 3300pF
100
R
RT
下拉
到GND
10
10
100
开关频率（kHz ）
1000
开关频率（kHz ）
图1。R
RT
电阻与频率
图2.偏置电源电流与频率
功能引脚说明（ SOIC / QFN ）
RT （引脚1/14 ）
该引脚提供振荡器开关频率的调整。
通过将电阻器（R
RT
）从这个引脚GND时，
开关频率从200kHz之间设置
根据下面的方程1.5MHz的：
.
6500
R
RT
[
k
] ≈
------------------------------------------------------ –
1.3k
-
F
s
[
千赫
]
–
200
[
千赫
]
交替ISL6535的开关频率可被降低
从200kHz至50kHz的连接RT引脚与
电阻到VCC ，根据以下公式：
55000
R
RT
[
k
] ≈
------------------------------------------------------ +
70k
-
200
[
千赫
]
–
F
s
[
千赫
]
(R
RT
至VCC ）
(R
RT
到GND）
5
FN9255.0
2006年1月17日
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