ISL7119RH
数据表
2008年10月8日
FN6607.2
抗辐射高速双
电压比较器
该ISL7119RH是抗辐射的高速双
电压比较器制造的单芯片。它
被设计为运行在一个很宽的双电源电压范围
以及单个5V电源电压和地。开放
集电极输出级便于与各种接口
逻辑设备，并具有用于驱动继电器和灯的能力
输出电流高达25mA 。
该ISL7119RH制造在我们的介质隔离
抗辐射硅栅（ RSG ）的过程中，它提供
免疫单事件闭锁（ SEL）和高可靠性
表现在自然空间环境。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时下列SMD号码必须使用。
详细的电气规格为ISL7119RH是
载于SMD 5962-07215 。 “热链接”提供
在我们的网站上下载。
特点
电筛选， DSCC SMD ＃ 5962-07215
QML每个合格MIL -PRF- 38535的要求
辐射环境
- 总剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3×10
5
Rad公司（SI ）
- SEL / SEB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。免疫的
输入失调电压（V
IO
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8mV的（最大）
输入偏置电流（I
BIAS
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1000nA （最大）
输入偏置电流（I
IO
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150nA （最大）
饱和电压@ I
SINK
= 3.2毫安（V
SAT
） 。 0.65V （最大值）
饱和电压@ I
SINK
= 25毫安（V
SAT
） 。 。 1.8V （最大）
响应时间（t
PD
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。值为160ns （最大值）
应用
窗口检测器
- 电平转换器
继电器驱动器
引脚配置
s
灯泡驱动器
ISL7119RH
（ 10 LD FLATPACK GDFP1 - F10或CDFP2 -F10 ）
顶视图
出1
GND 1
+ IN 1
-IN 1
-V
S
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
+V
S
-IN 2
+ IN 2
GND 2
输出2
订购信息
订购
数
国内
MKT 。 NUMBER
最热
Q 5962F07 21501QXC
Q 5962F07 21501VXC
TEMP 。 RANGE
(°C)
-55到+125
-55到+125
-55到+125
ISL7 119RHF /原
-55到+125
包
10 Ld的扁平
10 Ld的扁平
10 Ld的扁平
10 Ld的扁平
PKG 。 DWG 。 ＃
K10.A
K10.A
K10.A
K10.A
5962F0721501QXC ISL7119RHQF
5962F0721501VXC
5962F0721501V9A
ISL7119RH/Proto
ISL7119RHVF
ISL7119RHVX
ISL7119RHF/Proto
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
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ISL7119RH
模具特点
DIE尺寸：
2030μm X 2030μm （ 80密耳×80密耳）
厚度： 483μm ± 25.4μm （ 19密耳± 1密耳）
界面材料：
玻璃钝化：
类型： PSG （磷硅玻璃）
厚度： 8.0k ± 1.0k
顶级金属化：
类型： AlSiCu
厚度： 16.0k ± 2KA
基材：
抗辐射硅栅，介质隔离
背面表面处理：
硅
大会相关信息：
衬底电位：
无偏（ DI ）
附加信息：
最坏情况下的电流密度：
<2.0 ×10
5
A /厘米
2
晶体管数量：
66
金属掩模布局
ISL7119RH
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FN6607.2
2008年10月8日
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