位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第543页 > ICS951AI147L > ICS951AI147L PDF资料 > ICS951AI147L PDF资料1第5页
ICS87951I-147
低偏移， 1到9 ，差分至LVCMOS零延迟缓冲器
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
4.6V
-0.5V到V
DDA
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。 OP-功能
产品的关合作在这些条件下或超出任何条件
在这些上市
DC特性
or
AC特性
不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件为前
往往还会影响产品的可靠性。
封装的热阻抗，
θ
JA
42.1 ℃/ W（ 0 LFPM ）
贮藏温度，T
英镑
-65 ℃150 ℃的
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DDA
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DDA
V
DDO
I
DDO
I
DDA
参数
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
所有V
DD
引脚
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
115
20
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DDA
= V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
85°C
符号
V
DDA
V
DDO
I
DDO
I
DDA
参数
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
所有V
DD
引脚
测试条件
最低
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
最大
2.625
2.625
75
12
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4C 。 DC
极特
,
V
DDA
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
V
IH
输入高电压
DIV_SELA ： DIV_SELD ，
EXT_FB ， MR / NOE ，
PLL_SEL ， CLK_SEL
DIV_SELA ： DIV_SELD ，
EXT_FB ， MR / NOE ，
PLL_SEL ， CLK_SEL
CLK0
测试条件
最低
2
典型
最大
V
DD
+ 0.3
单位
V
V
IL
I
IN
V
PP
V
CMR
V
OH
V
OL
输入低电压
-0.3
-0.3
0.8
1.3
±120
V
V
A
V
V
V
输入电流
峰 - 峰值
CLK1 ， nCLK1
输入电压
共模
输入电压;
CLK1 ， nCLK1
注1,2
输出高电压
输出低电压
0.15
GND + 0.5
I
OH
= -40mA
I
OL
= 40毫安
I
OL
= 12毫安
2.4
1.3
V
DD
- 0.85
0.55
0.3
V
V
注1 ：共模电压定义为V
IH
.
注2：对于单端应用中，最大输入电压为CLK1和nCLK1为V
DDA
+ 0.3V.
IDT
/ ICS
差分至LVCMOS零延迟缓冲器
5
ICS87951I - 147 REV A 2006年6月21日
