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MCP1827/MCP1827S
为最大功率耗散能力
包可以计算给定的结点到
环境的热阻和最大环境
温度为应用。式（5-4）可
用于确定封装的最大内部
功耗。
5.3
典型用途
内部功耗，结温升高，
结温与最大功率耗散
计算在下面的例子。电源
耗散地电流的结果是小
到可以忽略。
公式5-4 ：
P
D
(
最大
)
(
T
J
(
最大
)
–
T
A
(
最大
)
)
= ---------------------------------------------------
Rθ
JA
5.3.1
包
功耗示例
P
D（最大）
=器件最大功耗
T
J（下最大）
=最大连续结
温度
T
A（最大值）
=最大环境温度
Rθ
JA
=热阻结到
环境
封装类型= TO- 220-5
输入电压
V
IN
= 3.3V ± 5%
LDO输出电压和电流
V
OUT
= 2.5V
I
OUT
= 1.5A
最高环境温度
T
A（最大值）
= 60°C
内部功耗
P
LDO （MAX）
= (V
IN （MAX）
– V
OUT （分钟）
） ×1
输出（最大）
P
LDO
= （ （ 3.3V X 1.05 ） - （ 2.5V X 0.975 ） ）
X 1.5A
P
LDO
= 1.54瓦
公式5-5 ：
T
J
(
上升
)
=
P
D
(
最大
)
×
Rθ
JA
T
J（下RISE ）
=器件结温
在环境温度下
P
D（最大）
=器件最大功耗
Rθ
JA
=热阻结到
环境
5.3.1.1
器件的结温升高
公式5-6 ：
T
J
=
T
J
(
上升
)
+
T
A
T
J
=结温
T
J（下RISE ）
=器件结温
在环境温度下
T
A
=环境温度
内部结温上升的函数
内部功耗和热阻
从结点到环境的应用程序。该
从结点到环境的热阻（ R
JA
）是
来自EIA / JEDEC标准测试
热阻。在EIA / JEDEC规格
JESD51 。该标准描述了测试方法和
板的规格为测量热
从结电阻至环境温度。实际热
电阻为特定的应用可以变化
这取决于许多因素，如铜的面积和
厚度。请参考AN792 ，
“方法确定
多大的权力，一个SOT23封装，可在应用程序消散
阳离子“
（ DS00792）可以获得更多关于这方面的信息
主题。
T
J（下RISE ）
= P
总
X R
JA
T
JRISE
= 1.54宽x 29.3
°
C / W
T
JRISE
= 45.12
°
C
DS22001B第20页
2006年Microchip的科技公司
