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MCP1827/MCP1827S
5.0
5.1
应用电路/
问题
典型用途
除了LDO功率元件散热，
还有就是MCP1827内的功耗/
MCP1827S为静态或接地电流的结果。
功耗为接地电流的结果
可以使用以下公式来计算：
在MCP1827 / MCP1827S用于应用程序
需要高LDO输出电流和电源良好
输出。
V
OUT
= 2.5V @ 1.5A
MCP1827-2.5
On
关闭
SHDN
V
IN
C
1
4.7 F
GND
1 2 3 4 5
R
1
10 kΩ
C
2
10 F
公式5-2 ：
P
I
(
GND
)
=
V
IN
(
最大
)
×
I
VIN
其中：
P
我（ GND
V
IN （MAX）
I
VIN
=
=
=
功耗因
LDO的静态电流
最大输入电压
流动的电流在V
IN
针
LDO输出电流
（ LDO静态电流）
3.3V
PWRGD
图5-1：
5.1.1
典型应用电路。
申请条件
封装类型= TO- 220-5
输入电压范围= 3.3V ± 5 ％
V
IN
最大= 3.465V
V
IN
最小= 3.135V
V
差（ MAX）
= 0.550V
V
OUT
（典型值） = 2.5V
I
OUT
= 1.5A最大
P
DISS
（典型值） = 1.2W
温升= 35.2
°
C
总功率的MCP1827内消散/
MCP1827S是功率的消耗在总和
LDO传输器件和P（我
GND
）一词。由于该
CMOS结构，典型的我
GND
对于MCP1827 /
MCP1827S为120 μA 。工作在最大的
3.465V结果为0.49毫功率耗散
瓦。对于大多数应用来说，与此相比是小
LDO传输器件功耗和能
被忽视。
最大连续工作结
对于MCP1827规定的温度/ MCP1827S是
+125
°
C
.
为了估计内部结温
在MCP1827 / MCP1827S的，总的内部电源
耗散乘以从热阻
结到环境（ R
JA
）该装置。热
从结电阻到环境的TO- 220-5
包被估计为29.3
°
C / W 。
5.2
5.2.1
功率计算
功耗
公式5-3 ：
T
J
(
最大
)
=
P
总
×
Rθ
JA
+
T
AMAX
T
J（下最大）
=最大连续结
温度
P
总
=器件总功耗
Rθ
JA
=热阻结到
环境
T
AMAX
=最大环境温度
在MCP1827中的内部功耗/
MCP1827S是输入电压的函数，输出
电压，输出电流和静态电流。
方程5-1可以用来计算内部
功耗的LDO 。
公式5-1 ：
P
LDO
=
(
V
IN
(
最大
) )
–
V
OUT
(
民
)
) ×
I
OUT
(
最大
) )
其中：
P
LDO
V
IN （MAX）
V
OUT （分钟）
=
=
=
LDO内部
功耗
最大输入电压
LDO的最小输出电压
2006年Microchip的科技公司
DS22001B第19页
