位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第0页 > SST37VF010-70-3I-NH > SST37VF010-70-3I-NH PDF资料 > SST37VF010-70-3I-NH PDF资料1第7页
512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多时间内可编程Flash
SST37VF512 / SST37VF010 / SST37VF020 / SST37VF040
数据表
T
ABLE
5: P
ROGRAM
/E
RASE
DC
操作摄像机
C
极特
V
DD
= 2.7 3.6V ，T
A
= 25°C ± 5°C
符号参数
V
DD
擦除或编程
I
DD
当前
I
LI
输入漏电流
I
LO
输出漏电流
超高压对于A
9
V
H
和OE ＃
I
H
超高压电流
一
9
和OE ＃
民
范围
最大
30
1
1
12.6
200
1
单位
mA
A
A
V
A
测试条件
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
H
,
V
DD
= V
DD
马克斯， WE＃ = V
IL
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
= V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
= V
DD
最大
2
3
4
5
11.4
OE ＃ = V
H
马克斯，A
9
= V
H
马克斯，V
DD
= V
DD
最大，
CE＃ = V
IL
397 PGM T5.0
T
ABLE
6: R
ECOMMENDED
S
变体系
P
OWER
-
UP
T
IMINGS
符号
T
PU- READ
T
PU- WRITE
参数
上电到读操作
上电到写操作
最低
100
100
单位
s
s
397 PGM T6.0
6
7
8
9
10
397 PGM T7.0
T
ABLE
7: C
APACITANCE
(T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，其他引脚开路）
参数
描述
测试条件
C
I/O(1)
I / O引脚的电容
V
I / O =
0V
C
IN(1)
输入电容
V
IN =
0V
最大
12 pF的
6 pF的
注意：
(1)
该参数仅在初步认证设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
11
T
ABLE
8: R
ELIABILITY
C
极特
符号
参数
耐力
N
结束
T
DR(1)
数据保留
V
ZAP_HBM(1)
ESD敏感性
人体模型
V
ZAP_MM(1)
ESD敏感性
机器型号
(1)
I
LTH
闭锁
注意：
(1)
最小规格
1000
100
2000
200
100 + I
DD
单位
周期
岁月
伏
伏
mA
测试方法
JEDEC标准A117
JEDEC标准A103
JEDEC标准A114
JEDEC标准A115
JEDEC标准78
397 PGM T8.1
12
13
14
15
16
该参数仅在初步认证设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2000硅存储技术公司
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
7
397-03 2/00
