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512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多时间内可编程Flash
SST37VF512 / SST37VF010 / SST37VF020 / SST37VF040
数据表
芯片擦除操作
只有这样，才能从“0”改变数据“1”是由
电擦除，改变每一个位中的设备设置为“ 1”。
该SST37VF512 / 010 / 020 / 040使用的电芯片
擦除操作。整个芯片可以在100毫秒内被擦除
（ WE＃引脚为低电平） 。为了激活擦除模式下，将12V
（ ± 5 ％ ）被应用到OE ＃和A
9
销，而CE＃为低。所有
其他的地址和数据引脚“不关心” 。下降
WE＃的边缘将启动芯片擦除操作。一旦
该芯片已被删除，所有字节必须进行验证
FF 。请参考图9为流程图，以及图5为
的时序图。
产品标识模式
产品标识模式标识的设备上进行
SST37VF512 ， SST37VF010 ， SST37VF020和
SST37VF040和制造商为SST。此模式可
由硬件方法来访问。要激活此
模式，编程设备必须强制V
H
（ 12V ± 5 ％ ）的地址A
9
。两个标识符字节可以再
通过切换AD-从器件输出进行测序
礼服A线
0
。有关详细信息，请参阅表3硬件
操作。
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
T
ABLE
1: P
RODUCT
I
DENTIFICATION
T
ABLE
制造商代码
器件代码
SST37VF512
SST37VF010
SST37VF020
SST37VF040
字节
0000 H
0001 H
0001 H
0001 H
0001 H
数据
BF
C4
C5 ^ h
C6 ^ h
C2
397 PGM T1.1
设计注意事项
该SST37VF512 / 010 / 020 / 040应该有一个0.1μF
陶瓷高频，低电感电容CON-
V之间连接的
DD
和GND 。该电容应该是
置于尽可能靠近封装端子成为可能。
OE ＃和A
9
必须在V保持稳定
H
对于整个
持续的擦除操作。 OE ＃必须保持稳定
在V
H
对于编程操作的整个过程。
X解码器
EEPROM
电池阵列
内存地址
地址缓冲器
y解码器
CE＃
OE ＃
A9
WE＃
控制逻辑
I / O缓冲器
DQ7 - DQ0
397 ILL B1.0
2000硅存储技术公司
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