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512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多时间内可编程Flash
SST37VF512 / SST37VF010 / SST37VF020 / SST37VF040
数据表
T
ABLE
4: R
EAD
M
ODE
DC
操作摄像机
C
极特
V
DD
= 2.7 3.6V ，T
A
= 0 ° C至70 ° C（商业）
符号参数
I
DD
V
DD
读电流
民
范围
最大
12
单位
mA
测试条件
CE ＃ = OE ＃ = V
IL
，所有I / O开放，
地址输入= V
IL
/V
IH
,
在f = 1 / T的
RC
分钟，V
DD
= V
DD
最大
CE＃ = V
IHC
V
DD
= V
DD
最大
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
= V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
= V
DD
最大
V
DD
= V
DD
民
V
DD
= V
DD
最大
V
DD
= V
DD
最大
I
OL
= 100μA ，V
DD
= V
DD
民
I
OH
= -100 μA ，V
DD
= V
DD
民
CE ＃ = OE ＃ = V
IL
, A
9
= V
H
马克斯。
397 PGM T4.1
I
SB
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
IHC
V
OL
V
OH
I
H
待机V
DD
当前
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
0.7 V
DD
输入高电压
V
DD
-0.3
（ CMOS）的
输出低电压
输出高电压
V
DD
-0.2
超高压电流
一
9
对于只读ID
15
1
1
0.8
A
A
A
V
V
V
V
V
A
0.2
200
2000硅存储技术公司
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6
397-03 2/00
