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电气和热特性
MEM_CLK
MEM_CLK
t
有效
t
HOLD
控制信号的
活跃
NOP
读
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
MDQS （数据选通）
t
data_valid_min
t
data_valid_max
MDQ （数据）
t
data_sample_min
t
data_sample_max
样品
位置
A
读数据
样品橱窗
MDQS （数据选通）
t
data_valid_min
t
data_valid_max
MDQ （数据）
0.5 * MEM_CLK
t
data_sample_min
t
data_sample_max
样品
位置
B
读数据
样品橱窗
t
有效
t
HOLD
MA （地址）
t
有效
ROW
t
HOLD
COLUMN
工商管理硕士（银行选择）
样品位置A ：数据采样MEM_CLK的预期优势， MDQS信号指示有效数据
样品位置B ：数据采样上MEM_CLK更高边缘， SDRAM控制器正在等待vaild MDQS信号
注：控制信号的信号是由RAS ， CAS ， MEM_WE ， MEM_CS ， MEM_CS1和CLK_EN的
图7.时序图， DDR SDRAM内存读时序
MPC5200数据手册，第4
飞思卡尔半导体公司
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