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电气和热特性
表20. DDR SDRAM内存读时序
符号
t
MEM_CLK
t
有效
t
HOLD
描述
MEM_CLK期
控制信号，地址和工商管理硕士
后MEM_CLK的上升沿有效
控制信号，地址和工商管理硕士
持后MEM_CLK的上升沿
民
7.5
—
t
MEM_CLK
*0.5
—
1.55
2
最大
—
t
MEM_CLK
*0.5+0.4
—
4.59
1
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
SpecID
A5.15
A5.16
A5.17
A5.18
A5.19
t
data_sample_max
读取数据采样窗口
t
data_sample_min
读取数据采样窗口
注意事项：
1
计算抽头时延的最大数， 31抽头延时选择。
2
计算抽头时延最小数， 0延迟点击选择。
MPC5200数据手册，第4
22
飞思卡尔半导体公司
