位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第907页 > MPC5200CBV266 > MPC5200CBV266 PDF资料 > MPC5200CBV266 PDF资料1第25页
电气和热特性
3.3.5.4
符号
t
MEM_CLK
t
DQSS
存储器接口时序DDR SDRAM写命令
表21. DDR SDRAM内存写时序
描述
MEM_CLK期
从写命令，第一延迟
MDQS的上升沿
民
7.5
—
最大
—
t
MEM_CLK
+0.4
单位
ns
ns
SpecID
A5.20
A5.21
MEM_CLK
MEM_CLK
控制信号的
写
写
写
写
MDQS （数据选通）
t
DQSS
MDQ （数据）
注：控制信号的信号是由RAS ， CAS ， MEM_WE ， MEM_CS ， MEM_CS1和CLK_EN的
图9. DDR SDRAM内存写时序
3.3.6
PCI
在MPC5200的PCI接口设计为PCI版本2.2 ，支持33 - MHz和66 MHz的PCI
操作。请参阅PCI本地总线规范[4] ;组件部分指定的电气和
定时为PCI组件的参数与元件直接连接在一起，是否意图
在平面或扩展板，无需任何外部缓冲器或其他“胶合逻辑”参数适用
在封装引脚，而不是在扩展卡边缘连接器。
MPC5200的是总是在PCI CLK的来源。时钟波形必须被传递到每个
33 - MHz或在系统66 - MHz的PCI组件。
图10
显示时钟波形和要求
测量点为3.3 V信号环境。
表22
总结了时钟规格。
MPC5200数据手册，第4
飞思卡尔半导体公司
25
