位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第0页 > MPC8358TZQADDDA > MPC8358TZQADDDA PDF资料 > MPC8358TZQADDDA PDF资料1第22页

DDR和DDR2 SDRAM
图5
示出了用于地址偏移相对于任何MCK的DDR SDRAM输出的时序。
MCK [N ]
MCK [N ]
t
MCK
t
AOSKEW (最大)
ADDR / CMD
CMD
t
AOSKEW (分钟)
NOOP
ADDR / CMD
CMD
NOOP
图5.时序图在t
AOSKEW
测量
图6
提供了交流测试负载的DDR总线。
产量
Z
0
= 50
Ω
R
L
= 50
Ω
GV
DD
/2
图6. DDR交流测试负载
表20. DDR和DDR2 SDRAM的测量条件
符号
V
TH
V
OUT
DDR
MV
REF
± 0.31 V
0.5
×
GV
DD
DDR2
MV
REF
± 0.25 V
0.5
×
GV
DD
单位
V
V
笔记
1
2
注意事项:
1.数据输入阈值测量点。
2.数据输出测量点。
MPC8358E的PowerQUICC II Pro处理器版本2.1 PBGA硅硬件规格,第1版
22
飞思卡尔半导体公司