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陶瓷芯片电容
容抗的矢量求和，所述
电感性电抗，并且等效串联电阻，如图
图2.随着频率的增加，电容性电抗
tance降低。然而，串联电感（ L）的
在图1中产生一些感抗所示
随着频率的增加而增加。在某些频率，所述
阻抗不再是电容性和变
感性。这一点上，在所述V型底
阻抗与频率的关系曲线，是自谐振
楠频率。在自谐振频率，所述
抗为零，阻抗由所述
ESR而已。在高频更详细的模型
申请 - 参见KEMET SPICE模型这种情况。
典型的阻抗与频率的关系曲线
KEMET多层陶瓷电容器示于
图4，图5，图6和7中
.
耗散。与任何实际的设备，多层
陶瓷电容器也具有一种内在的，虽然
当在额定条件下运行的低，故障率低。
主要的故障模式是由短路或低insu-
LATION性，裂缝或导致介
击穿时的缺损部位。 KEMET监控的可靠性
与选定的值周期性抽样方案。
结果可在我们的FIT （在失败时）的报告
商用芯片。
21.
储存和处理：
陶瓷片式电容器应储存于正常
的工作环境。而芯片本身是
在其他环境中相当健壮，可焊性会
通过暴露降解于高温，高
湿度，腐蚀性气体，和长期stor-
年龄。另外，包装材料将被降解
高温 - 滚轴可软化或变形，并且
胶带剥离力可能增加。 KEMET推荐
即最高储存温度不超过40
℃，并且最大存储湿度不超过
相对湿度70％ 。另外，温度波动
系统蒸发散应该被最小化，以避免在缩合
的部件，并且气氛应是游离氯
和含硫化合物。优化可焊
能力，芯片的股票应及时使用，最好是
在1.5年收据。
环境和物理
13.
热冲击：
EIA- 198 ，方法202 ，条件B （ 5次
-55°至+ 125 ℃）。
寿命测试：
EIA- 198 ，方法201 1000小时200 ％
*
的额定
电压在125℃ 。 （除85℃ Z5U ， Y5V
& X5R ） 。
参见表4限额71页。
*注：在额定电压为选定的高电容的X5R值的150％。请联系工厂。
14.
15.
湿度测试：
EIA- 198 ，方法206 ， （除了1000小时后， 85°C ，
85 ％ RH ，额定电压） 。
参见表4限额71页。
防潮性：
EIA- 198 ，方法204 ，条件B （ 20个周期
50伏的应用。
参见表4限额71页。
可焊性：
EIA- 198 ，方法301 （ 245℃ ， 5秒， SN62焊料）
95％的焊点光滑的终端。参见第14页
推荐的配置文件。
耐焊接热：
EIA- 198 ，方法302 ，条件B （ 260℃ ， 10节
哔声）无浸出镍屏障。
终端强度：
EIA- 198 ，方法303 ，条件D 。
误用
22.
陶瓷电容器，就像任何其他的电容器，可如果失败
他们被误用。有些误用包括
机械损伤，例如冲击或过度flex-
荷兰国际集团的电路板。其他还有严重的安装
或返修周期也可能会引入热冲击。
还有一些人，包括暴露于过高的电压，电流
租或温度。如果电容器的电介质层
器是由不当损坏，电路可能会失败。
该电路的电能量可以被释放为
热，这可能会损坏电路板和其他
组件。
16.
17.
18.
附加信息
23.
详细的应用信息可以在KEMET发现
工程通报。
F-2100
F-2102
F-2105
F-2103
F-2110
F-2111
表面贴装，贴装焊盘
尺寸及注意事项
回流焊接工艺
波峰焊工艺
表面贴装修复
电容监控而Flex的测试
陶瓷贴片电容“的Flex裂缝” -
了解和解决方案
19.
可靠性
20.
一个精心构造的多层陶瓷电容器芯片
极其可靠，并且对于所有的实际目的，不具有
当最大内使用耗损机构
电压和温度额定值。最失败的发生
的机械或热损伤过程的结果
安装在电路板上，或在随后的测试。
电容器故障也可以通过持续的感应
操作在电压超出额定直流电压，
电压尖峰或瞬态超出介质的
电压能力，在温度持续运行
超过最大额定温度时，内部
缺陷，或过度的温度上升，由于电力
对于高频应用， KEMET分析
拥有最贴片电容SPICE模型。车型
可从KEMET公司的网站上下载
www.kemet.com 。
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附加信息也可以 - 请参阅
您KEMET代表了解详情，或发表您的
问题来KEMET公司的网页在网络上
http://www.kemet.com 。
KEMET电子公司， P.O.盒5928 ，格林维尔，资深大律师29606 ， （ 864 ） 963-6300
