位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第0页 > T491X334K035AG > T491X334K035AG PDF资料 > T491X334K035AG PDF资料1第70页
陶瓷芯片电容
图1
IR
6.
阻抗：
由于并联电阻（IR ）通常是很
高时，电容器的总阻抗可
近似为：
科幻gure 3
ESL
ESR
C
C =电容
ESL =等效串联电感
ESR =等效串联电阻
IR =绝缘电阻
2
2
Z=
ESR + （X - X）
L C
其中：
Z =总阻抗
5.
耗散因数：
相同的条件下测定
电容。 （见表3）
损耗因子（DF ）是在损耗的量度
在交流应用的电容器。它是比
等效串联电阻给电容性电抗
tance ，并且通常用百分比表示。它是归一
光年同时测量电容，并
在相同条件下。下面的向量图
示的DF ， ESR和之间的关系
阻抗。损耗因数的倒数是
被称为“Q”或品质因数。为方便起见，该
的“Q”因数通常用于耗散的非常低的值
特别是当在高频测量灰因子
资本投资者入境计划。 DF有时也被称为“损耗角正切”或“ tan-
绅士“ ，如图2中所示。
ESR =等效串联电阻
X =容抗= 1 /（ 2
πfC ）
C
X =感抗= （ 2
πf)
（ ESL ）
L
同频的电容器的阻抗的变化
昆西决定了在许多应用的有效性
系统蒸发散。在高频更详细的模型应用 -
看到KEMET SPICE模型这种情况。
7.
图2
ESR
DF （％）=
ESR ×100
Xc
X
c
O
δ
Ζ
1
Xc
=
2 π
fC
绝缘电阻：
测定2分钟后通电，在25℃和
额定电压：按表3的限制。
绝缘电阻是电容器的所述量度
抵抗直流漏电流的流动。它有时是
称为“漏电阻” 。绝缘电阻
tance （IR）是在整个测量的直流电阻
电容器的端子，通过该并行表示
电阻（IR ）如图1所示，对于给定的电介质
型，与电容电极面积的增大， result-
荷兰国际集团中的绝缘电阻的降低。
结果，绝缘电阻的限制，通常
指定为“RC” （ IR乘C ）产品，在欧姆 - 条款
法拉或兆欧微法拉。绝缘电阻
tance为特定的电容值由下式确定
由电容除以本产品。然而，如
标称电容值变小，则
从RC乘积计算绝缘电阻
达到这都是不切实际的值。因此， IR
规格通常包括最低RC的精良
UCT以及基于所述红外最大极限计算
表3 - 指定电气限制
参数
电容&耗散因数：测得以下
条件：
如果为1kHz和1Vrms电容>1000 pF的 - C0G
如果1MHz至1 VRMS电容
≤1000
pF
X7R / X5R / Y5V - 为1kHz和1Vrms *如果电容
≤
10
F
X7R / X5R / Y5V - 120Hz的0.5 VRMS如果电容
＆ GT ;
10
F
Z5U - 为1kHz和0.5 VRMS
C0G
温度特性
Z5U
X7R/X5R
Y5V
DF限制：
**X5R
<25V
<25V
帽
<564
≥564
50 - 200伏
DF
25伏
5.0%
16伏特
10.0%
6.3 / 10伏
–
–
–
–
0.10%
0.10%
--------
--------
2.5%
3.5%
3.5%
5.0%
2.5%
5.0%
**
**
4.0%
4.0%
-------
5.0%
7.0%
7.0%
10.0%
介电强度：在2.5倍额定直流电压
绝缘电阻（IR ） ：在额定直流电压，取
这两个较小。为了获得IR限制，分MΩ - μF值由
电容，并比较GΩ限制。选择低
的两个限制。
温度：范围，
°C
静电容量变化（无直流电压）
1,000 M –
F
或100 GΩ
(100,000 M)
-55到+125
0
±
30 PPM /°C的
随后通过红外测试
1,000 M –
F
或100 GΩ
(100,000 M)
X7R ： -55 + 125
±
15%
X5R ： -55 + 85
±
15%
100 M –
F
或10 GΩ
(10,000 M)
+10至+85
+22% -56%
100 M –
F
或10 G（ ≥16伏）
50 M –
F
或10G （
≤
10v)
(10,000 M)
-30至+85
+22% -82%
*注：在测量一些数值
1
2
伏见X7R表74和75页的具体细节。
68
KEMET电子公司， P.O.盒5928 ，格林维尔，资深大律师29606 ， （ 864 ） 963-6300
