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陶瓷芯片电容
从该值。例如，一个典型的IR规格
可能会读“ 1000兆欧微或100
gigohms ，以较少者为准“ 。的直流漏电流
可以通过将所施加的电压由下式计算
的绝缘电阻（欧姆定律） 。
8.
绝缘耐电压：
持续5秒的电流极限值250 ％的额定电压的
资讯科技教育50mA的在25 ℃。按表3的限制。
介质耐压（ DWV ）是高峰DC
电压，该电压的电容器被设计成能承受
不为短时间的损害。所有KEMET
多层陶瓷表面贴装电容将与 -
站在2.5直流试验电压x额定电压为60
秒。
所有的电气特性中KEMET规范限制
istics在标准测量条件示于
表3中的变化，这些特性引起的
变化的条件（温度，电压，频率，
和时间）被覆盖在下面的章节。
老化率：
最大容量％损耗/小时十年
C0G - 0 ％
X7R - 2.0 ％
X5R - 5.0 ％
Z5U - 7.0 ％
Y5V - 7.0 ％
实际利率可能会更低。为向厂家咨询
详细信息。
II类和III类介质变化的电容
随着时间的推移以及随温度，电压和频
昆西。随时间的变化被称为“老化” 。这是
由该结晶逐渐重新调整引起struc-
陶瓷介电材料的TURE ，因为它是冷却
低于其居里温度，它产生的损失
电容随时间变化。衰老的过程是可以预测的
和如下的对数衰减。
衰老的过程是可逆的。如果电容器是
加热到高于其居里点为一些的温度下
的一段时间内，会发生脱老化和电容器将
重拾电容老化过程中丢失。
去老化的量取决于两个高架
温度和时间，在该温度下的长度。
暴露于150℃下半小时，足以
电容器返回到其初始值。
因为电容的变化迅速地被立即
后ately去老化，电容测量
索引到1000小时裁判时间。所有基美
电容器被运到是在公差范围内的
1000小时的裁判时间deaging处理后
（该时间通常称为"last heat" ） 。选择
本referree时间已经证明实际的，因为实际
12.
1,000h后下降的电容非常低。
10.
温度效应：
两个电容和损耗因数都受影响
由温度的变化。的最大电容
随温度的变化是由温度来定义
的特点。
然而，这只是定义了一个“信封”界
通过上部和下部的运行温度和
最小和最大电容值。在这
“信封” ，随温度的变化取决于
于特定的电介质的制剂。
随着温绝缘电阻下降
perature 。典型地，绝缘电阻限制在
最大额定温度为25 ℃的值的10％。
11.
影响电压：
某些高介电常数陶瓷电容
可能显示的变化的电容和耗散的值
与各级应用交流和直流而不能使因素
电压。这种变化是一种自然的特点
陶瓷电容，并且应当由被认为
电路设计。
在一般情况下，陶瓷电容器具有最低的介
TRIC常数（ C0G或NP0 ）是非常稳定的，
显示在电容和/或耗散很少或没有变化
化因素。另一方面，陶瓷电容
最高介电常数（ Z5U & Y5V ）可能会显示
显著变化，特别是在静电电容。其他
电介质的制剂，如X7R和X5R将显示
变化小于Y5V ，但超过C0G 。
AC的应用在10至范围内的电压
20交流电压趋于增加两个电容器的值
tance和损耗因数，而较高的交流电压
往往会产生两个下降。
但是，电容的变化与施加
DC是最感兴趣的参数来设计工程
程师。图8示出了静电电容的典型变化
用一些标准的电介质施加直流电压。
如可以看到的，在电容的减小是最大
对于Y5V电介质（该C0G未画出，因为它
不会有可察觉的电容也不耗散
9.
图8 - 电容的典型变化与施加的直流电压
化因素的变化。 ）
上的效果更加详细的建模资料
在特定电容器的评分各种电压可以是
通过使用KEMET SPICE模型得到的，可
免费下载在我们的网站（ www.kemet.com ） 。
影响频率：
频率会影响电容和损耗
因素。为KEMET多层陶瓷典型曲线
电容器示于图4，图5，图6和图7 。
阻抗随频率的变化是一个
在多层应用的重要考虑因素
陶瓷电容。电容器的总阻抗是
KEMET电子公司， P.O.盒5928 ，格林维尔，资深大律师29606 ， （ 864 ） 963-6300
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陶瓷表面贴装
