FDS8949双N沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
2
1
占空比，降序排列
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
归热
阻抗Z
θ
JA
0.1
P
（ PK）
t
1
t
2
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= 135
o
C / W
T
J
-T
A
√P * R
θJA
0.01
DUTY因子：D = T
1
/t
2
-2
-1
0
1
2
单脉冲
1E-3
-3
10
10
10
10
10
10
10
3
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图13.瞬态热响应曲线
FDS8949牧师B1
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