FDS8949双N沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
DS
= 32V, V
GS
= 0V
T
J
= 55°C
V
GS
= ±20V,V
DS
= 0V
40
33
1
10
±100
V
毫伏/°C的
A
A
nA
基本特征
（注2 ）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
GS
= 10V ，我
D
= 6A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 4.5A
V
GS
= 10V ，我
D
= 6A ，T
J
= 125°C
V
DS
= 10V ，我
D
= 6A
1
1.9
-4.6
21
26
29
22
29
36
43
S
m
3
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
715
105
60
1.1
955
140
90
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 20V ，我
D
= 6A ，V
GS
= 5V
V
DD
= 20V ，我
D
= 1A
V
GS
= 10V ，R
根
= 6
9
5
23
3
7.7
2.4
2.8
18
10
37
6
11
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
而最大额定值
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压V
GS
= 0V时，我
S
= 6A （注2 ）
反向恢复时间（注3 ）
反向恢复电荷
I
F
= 6A ，D
iF
/d
t
= 100A / μs的
0.8
17
7
1.2
26
11
V
ns
nC
注意事项：
1:
R
θJA
是结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为在所述焊料安装表面的总和
漏针。
θJC
由设计而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
81 ° C / W时，
安装在一个1英寸
2
2盎司纯铜垫
b)
安装在一个时135℃ / W的
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2:
脉冲测试：脉冲宽度< 300我们，占空比< 2.0 ％ 。
3:
起始物为
J
= 25
°
C，L = 1MH ，我
AS
= 7.3A ，V
DD
= 40V, V
GS
= 10V.
FDS8949牧师B1
2
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