FDS8949双N沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
20
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 4.5V
3.0
归
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 10V
脉冲持续时间= 300
s
占空比= 20 ％ MAX
16
I
D
，漏电流（ A）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V
GS
= 3.0V
V
GS
= 3.5V
12
8
4
0
0.0
脉冲持续时间= 300
s
占空比= 20 ％ MAX
V
GS
= 3.0V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
V
DS
，漏源极电压（ V）
4
8
12
I
D
，漏电流（ A）
16
20
图1.地区特点
图2.归一导通电阻与漏
电流和栅极电压
70
r
DS （ ON）
，沥去
源导通电阻
(
m
)
归
漏极至源极导通电阻
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50
I
D
= 6A
V
GS
= 10V
I
D
= 3.5A
60
50
40
脉冲持续时间= 300
s
占空比= 20 ％ MAX
T
J
= 125
o
C
30
20
T
J
= 25
o
C
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温
(
o
C
)
150
10
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.归一通电阻VS结
温度
20
图4.导通电阻与栅极至源极
电压
100
I
S
，反向漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
脉冲持续时间= 300
s
占空比= 20 ％ MAX
16
12
8
4
0
1.5
T
J
= 125
o
C
T
J
V
DD
= 10V
V
GS
= 0V
10
1
0.1
0.01
1E-3
0.2
T
J
= -55
o
C
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
2.0
2.5
3.0
3.5
V
GS
，门源电压（ V）
4.0
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.2
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管正向
VS电压源电流
3
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