1GB ： X4，X8 ， X16 DDR3 SDRAM
电气规格 - 我
DD
规格和条件
表14：
I
DD
测量条件掉电电流
I
DD
2Ps
I
DD
2Pf
预充电
预充电
掉电掉电
当前
当前
（慢射）
1
（快速退出）
1
不适用
低
On
t
名字
时序示例
CKE
外部时钟
t
I
DD
2Q
预充电
安静
待机
当前
不适用
高
On
t
I
DD
2N
预充电
待机
当前
图15
第34页
高
On
t
I
DD
3P
活跃
掉电
当前
不适用
低
On
t
I
DD
3N
活跃
待机
当前
图15
第34页
高
On
t
笔记
不适用
低
On
t
CK
RAS
CK （ MIN ）I
DD
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
稳定
稳定
稳定
稳定
漂浮的
关闭
残
不适用
无
所有
不适用
CK （ MIN ）I
DD
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
稳定
稳定
稳定
稳定
漂浮的
关闭
残
不适用
无
所有
不适用
CK （ MIN ）I
DD
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
高
稳定
稳定
稳定
漂浮的
关闭
残
不适用
无
所有
不适用
CK （ MIN ）I
DD
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
高
开关
开关
开关
开关
关闭
残
不适用
无
所有
不适用
CK （ MIN ）I
DD
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
稳定
稳定
稳定
稳定
漂浮的
关闭
残
不适用
所有
无
不适用
CK （ MIN ）I
DD
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
高
开关
开关
开关
开关
关闭
残
不适用
所有
无
不适用
2
2
2
3
t
RC
t
t
RCD
t
RRD
t
RC
CL
AL
CS ＃
指令输入
行/列
地址
银行地址
数据I / O
输出缓冲器
DQ ， DQS
ODT
突发长度
活跃银行
闲置银行
特别提示
注意事项：
1. MR0 [12]定义了预充电期间仅断电/断行为DLL ; DLL上（快速退出，
MR0 [12] = 1 ）和DLL关闭（慢速退出， MR0 [12] = 0）。
2.输入切换的进一步界定，见表10第29页。
3.对于数据交换的进一步界定，见表11第29页。
PDF ： 09005aef826aa906 /来源： 09005aef82a357c3
1Gb_DDR3_D2.fm - Rev. D的08年8月1日EN
33
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2006美光科技公司保留所有权利。
