1GB ： X4，X8 ， X16 DDR3 SDRAM
电气规格 - 我
DD
规格和条件
表12：
时序参数
DDR3-800
-25E
I
DD
参数
t
CK
DDR3-1066
-187E
7-7-7
7
13.13
50.63
37.5
13.13
37.5
50
7.5
10
110
-187
8-8-8
8
15
52.50
37.5
15
37.5
50
7.5
10
110
-15F
8-8-8
8
12
48
36
12
30
45
6
7.5
110
DDR3-1333
-15E
9-9-9
1.5
9
13.5
49.5
36
13.5
30
45
6
7.5
110
10
15
51
36
15
30
45
6
7.5
110
9
11.25
46.25
35
11.25
30
40
6
7.5
110
-15
10-10-10
-125F
9-9-9
DDR3-1600
-125E
-125
-25
6-6-6
2.5
6
15
52.5
37.5
15
40
50
10
10
110
5-5-5
5
12.5
50
37.5
12.5
40
50
10
10
110
注意事项：
1.
2.
3.
4.
10-10-10 11-11-11单位
1.25
10
12.5
47.5
35
12.5
30
40
6
7.5
110
11
13.75
48.75
35
13.75
30
40
6
7.5
110
ns
CK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（ MIN ）I
DD
（ MIN ）I
DD
（ MIN ）I
DD
x4, x8
x16
x4, x8
x16
1.875
CL我
DD
t
RCD
t
RC
t
t
t
RAS
（ MIN ）I
DD
RP （MIN）
一汽
t
RRD我
DD
t
RFC
I
DD
规格测试后，该设备已正确初始化。
输入转换率是通过交流参数测试条件规定。
I
DD
参数被指定与ODT和输出缓冲器被禁止（ MR1 [12]） 。
可选ASR被禁用，除非另有说明。
PDF ： 09005aef826aa906 /来源： 09005aef82a357c3
1Gb_DDR3_D2.fm - Rev. D的08年8月1日EN
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