1GB ： X4，X8 ， X16 DDR3 SDRAM
电气规格 - 我
DD
规格和条件
图14 ：我
DD
1例 - DDR3-800 ， 5-5-5 ， X8 （ -25E ）
T0
CK
BA [ 2 ：0]的
A[9:0]
A10
A[12:11]
CS ＃
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
命令
DQ
DM
I
DD
1测量回路
法案
D
D#
D#
D
RD
D#
D#
D
D
D#
0
D#
D
D
D#
1
PRE
D
D
D# D#
0
3
0
3
0
000
3FF
000
0
3FF
000
3FF
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
T12
T13
T14
T15
T16
T17
T18
0 1 1 0 0 1
注意事项：
1.数据DQ被示出，但是输出缓冲器应该关闭（每MR1 [12] = 1） ，以
实现我
OUT
= 0毫安（ MR1 [12] = 0是体现在本实施例中;但是，试验条件
MR1 [12] = 1）。地址输入端被分成三个部分。
PDF ： 09005aef826aa906 /来源： 09005aef82a357c3
1Gb_DDR3_D2.fm - Rev. D的08年8月1日EN
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