HI- 506 ， HI- 507 ， HI- 508 ， HI -509
模具特点
金属化：
类型： CUAL
厚度： 16K
±2k
衬底电位（注） ：
-V
供应
钝化：
类型：氮化物/ SILOX
氮化物厚度： 3.5K
±1k
二氧化硅层厚度： 12K
±2k
注：衬底电阻出现在-V
供应
终端，因此，它可以留浮动（绝缘模具摩） ，或者它可以安装在一
导体-V
供应
势。
最坏情况下的电流密度：
1.4 x 10
5
A /厘米
2
晶体管数量：
421
过程：
CMOS -DI
金属掩模布局
HI-506
EN一
0
A
1
A
2
A
3
GND
EN
A
0
A
1
A
2
NC
HI-507
GND
IN 1
9
在1A
在1B
IN 2
在10
在2A
在2B
IN 3
在11
在3A
在3B
在4
在12
在13
在4A
在4B
在5B
在5
在5A
在6
14
在15
在6A
在6B
在7B
在7
在7A
在8
在16
在8A
在8B
-V OUT
+V
NC
-V OUT A
+V
OUT B
15
FN3142.8
二○○七年十月三十〇日
