HI- 506 ， HI- 507 ， HI- 508 ， HI -509
模具特点
金属化：
类型： CUAL
厚度： 16K
±2k
衬底电位（注） ：
-V
供应
钝化：
类型：氮化物/ SILOX
氮化物厚度： 3.5K
±1k
二氧化硅层厚度： 12K
±2k
注：衬底电阻出现在-V
供应
终端，因此，它可以留浮动（绝缘模具摩） ，或者它可以安装在一
导体-V
供应
势。
最坏情况下的电流密度：
1.4 x 10
5
A /厘米
2
晶体管数量：
234
过程：
CMOS -DI
金属掩模布局
HI-508
EN一
0
A
1
A
2
GND
EN一
0
A
1
HI-509
GND
-V
SUP
IN 1
IN 2
+V
SUP
在5
-V
SUP
在1A
在2A
+V
SUP
在1B
在6
在2B
IN 3
在7
4 IN OUT
在8
在3A
在3B
在4A OUT A
在4B OUT B
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FN3142.8
二○○七年十月三十〇日
