高级技术信息
HiPerFET
TM
功率MOSFET
Q系列
IXFB 70N60Q2
N沟道增强模式
额定雪崩，低Q
g
，低的固有
g
高dv / dt ，低吨
rr
V
DSS
= 600 V
I
D25
= 70 A
R
DS （ ON）
= 80 m
t
rr
≤
250纳秒
PLUS 264
TM
（ IXFB ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25°C
最大额定值
600
600
±30
±40
70
280
70
60
5.0
20
890
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
G
D
S
（ TAB ）
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
特点
双金属工艺的低门
阻力
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
快速内在整流器
应用
DC- DC转换器
开关模式和谐振模
电源，开关>500kHz
直流斩波器
脉冲产生
激光驱动器
优势
PLUS 264
TM
包夹子或弹簧
MOUNTING
节省空间
高功率密度
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
600
3.0
V
5.0 V
±200
nA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
50
A
3毫安
80 m
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
注1
版权所有 2003 IXYS所有权利。
DS99006(02/03)
