IXFB70N60Q2
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
注1
36
50
7200
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1300
290
26
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
（外部）
25
60
12
265
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
57
120
0.14
0.13
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
端子： 1 - 门
2 - 漏极（集电极）
3 - 源（发射极）
4 - 漏极（集电极）
PLUS 264
TM
概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
GS
Q
GD
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ，注1
I
F
= 25A
-di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
70
280
1.5
250
1.2
8
A
A
V
ns
C
A
注： 1.脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715 6,306,728B1
5,381,025
