【高级技术信息HiPerFETTM功率MOSFETQ系列IXFB 70N60Q2N沟道增强模式额定雪崩】,IC型号IXFB70N60Q2,IXFB70N60Q2 PDF资料,IXFB70N60Q2经销商,ic,电子元器件-51电子网

高级技术信息

HiPerFET

功率MOSFET

Q系列

IXFB 70N60Q2

N沟道增强模式

额定雪崩，低Q

，低的固有

高dv / dt ，低吨

DSS

= 600 V

D25

= 70 A

DS （ ON）

= 80 m

≤

250纳秒

PLUS 264

（ IXFB ）

符号

DSS

DGR

GSM

D25

dv / dt的

英镑

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 M

连续

短暂

= 25°C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

≤

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

≤

DSS

≤

150℃ ，R

= 2

= 25°C

最大额定值

600

±30

±40

280

5.0

890

-55 ... +150

150

-55 ... +150

300

V / ns的

°C

（ TAB ）

G =门

S =源

D =漏

TAB =漏

特点

双金属工艺的低门

阻力

非钳位感应开关（ UIS）

评级

低封装电感

- 易于驾驶和保护

快速内在整流器

应用

DC- DC转换器

开关模式和谐振模

电源，开关>500kHz

直流斩波器

脉冲产生

激光驱动器

优势

PLUS 264

包夹子或弹簧

MOUNTING

节省空间

高功率密度

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

600

3.0

5.0 V

±200

= 25°C

= 125°C

3毫安

80 m

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 1毫安

= V

, I

= 8毫安

±30

V, V

= 0

= V

DSS

= 0 V

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

注1

DS99006(02/03)

IXFB70N60Q2

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

注1

7200

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

1300

290

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

= 1

（外部）

265

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

120

0.14

0.13

K / W

端子： 1 - 门

2 - 漏极（集电极）

3 - 源（发射极）

4 - 漏极（集电极）

PLUS 264

概要

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

thCK

= 10 V ;我

= 0.5 I

D25

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 0 V

重复;

脉冲宽度限制T

= I

, V

= 0 V ，注1

= 25A

-di / DT = 100 A / μs的

= 100 V

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

280

1.5

250

1.2

注： 1.脉冲检验，t

≤

300

占空比

≤

2 %

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715 6,306,728B1

5,381,025

高级技术信息

HiPerFET

功率MOSFET

Q系列

IXFB 70N60Q2

N沟道增强模式

额定雪崩，低Q

，低的固有

高dv / dt ，低吨

DSS

= 600 V

D25

= 70 A

DS （ ON）

= 80 m

≤

250纳秒

PLUS 264

（ IXFB ）

符号

DSS

DGR

GSM

D25

dv / dt的

英镑

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 M

连续

短暂

= 25°C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

≤

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

≤

DSS

≤

150℃ ，R

= 2

= 25°C

最大额定值

600

±30

±40

280

5.0

890

-55 ... +150

150

-55 ... +150

300

V / ns的

°C

（ TAB ）

G =门

S =源

D =漏

TAB =漏

特点

双金属工艺的低门

阻力

非钳位感应开关（ UIS）

评级

低封装电感

- 易于驾驶和保护

快速内在整流器

应用

DC- DC转换器

开关模式和谐振模

电源，开关>500kHz

直流斩波器

脉冲产生

激光驱动器

优势

PLUS 264

包夹子或弹簧

MOUNTING

节省空间

高功率密度

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

600

3.0

5.0 V

±200

= 25°C

= 125°C

3毫安

80 m

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 1毫安

= V

, I

= 8毫安

±30

V, V

= 0

= V

DSS

= 0 V

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

注1

DS99006(02/03)

IXFB70N60Q2

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

注1

7200

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

1300

290

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

= 1

（外部）

265

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

120

0.14

0.13

K / W

端子： 1 - 门

2 - 漏极（集电极）

3 - 源（发射极）

4 - 漏极（集电极）

PLUS 264

概要

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

thCK

= 10 V ;我

= 0.5 I

D25

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 0 V

重复;

脉冲宽度限制T

= I

, V

= 0 V ，注1

= 25A

-di / DT = 100 A / μs的

= 100 V

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

280

1.5

250

1.2

注： 1.脉冲检验，t

≤

300

占空比

≤

2 %

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715 6,306,728B1

5,381,025

查看更多IXFB70N60Q2PDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

QQ：2881677436 复制

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

IXFB70N60Q2

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

QQ：2880707522 复制

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

IXFB70N60Q2

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市嘉万骏科技有限公司

QQ：

QQ：657995889 复制

电话：0755*83682918

联系人：林小姐

地址：深圳市福田区华强花园A座30E

IXFB70N60Q2

IXYS/艾赛斯

22+

16000

PLUS264

原装正品自家库存

深圳市晶美隆科技有限公司

QQ：

QQ：2885348339 复制

QQ：2885348317 复制

电话：0755- 82519391 0755-83209630

联系人：李林

地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

IXFB70N60Q2

IXYS

24+

11758

PLUS264

全新原装现货热卖

江苏芯钻时代电子科技有限公司

QQ：

QQ：1316996791 复制

电话：18913062888

联系人：陈先生

地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号

IXFB70N60Q2

IXYS

24+

9000

TO-264-3, TO-264AA

原装正品现货

深圳市金嘉锐电子有限公司

QQ：

QQ：2581021098 复制

电话：0755-22929859

联系人：朱先生

地址：深圳福田区振兴路华康大厦211

IXFB70N60Q2

IXYS

2025+

26820

PLUS264?

【原装优势★★★绝对有货】

深圳市向鸿伟业电子有限公司

QQ：

QQ：2110158237 复制

QQ：316279873 复制

QQ：1298863740 复制

QQ：932480677 复制

电话：0755-82561519

联系人：李先生

地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室

IXFB70N60Q2

IXYS/艾赛斯

2407+

9600

TO-247

原装现货！接受验货！支技实单！

深圳市芯泽盛世科技有限公司

QQ：

QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985

联系人：李

地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822

IXFB70N60Q2

IXYS

24+

10000

PLUS264?

原厂一级代理，原装现货

深圳市创芯联盈电子有限公司

QQ：

QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

IXFB70N60Q2

IXYS/艾赛斯

2443+

23000

PLUS264

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市诺洋电子科技有限公司

QQ：

QQ：2881501652 复制

QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003

联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

IXFB70N60Q2

IXYS

24+

18650

TO-264

全新原装现货，原厂代理。

深圳市正信鑫科技有限公司

QQ：

QQ：1686616797 复制

QQ：2440138151 复制

电话：0755-22655674/15099917285

联系人：小邹

地址：深圳市福田区上步工业区201栋西座228室

IXFB70N60Q2

ＩＸＹＳ

22+

3240

原厂封装

原装正品★真实库存★价格优势★欢迎来电洽谈

深圳市芯福林电子科技有限公司

QQ：

电话：0755-82574045

联系人：张女士

地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B

IXFB70N60Q2

IXYS

21+22+

62710

TO-264

原装正品

查询更多IXFB70N60Q2供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司