CS51313
7A步：选择开关的（上） FET
设计者必须确保总功耗
在FET开关不会导致功率组件的
结温超过150 ℃。
通过开关的电流的最大有效值可以是
由下式确定：
IRMS （H）的
+
IL(PEAK)2
)
（ IL （ PEAK ），白细胞介素（谷） ）
)
IL(VALLEY)2
3.0
TJ
+
TA
)
（ PHFET （ TOTAL ）
R
qJA
)
其中：
T
J
= FET的结温;
T
A
=环境温度;
P
HFET （ TOTAL ）
=总开关（上） FET的损失;
R
θJA
=上FET结点到环境的热阻。
7B步：选择同步（下）场效应管
D
开关的导通损耗为下面的FET可以是
计算公式如下：
PRMSL
+
IRMS2
+
IOUT
RDS （ ON）
(1.0
*
D) 2
RDS （ ON）
其中：
I
均方根（H）的
=最大开关MOSFET的电流有效值;
I
L（峰）
=电感峰值电流;
I
L（谷）
=电感谷值电流;
D =占空比。
一旦电流的有效值通过开关是已知的，则
开关MOSFET的导通损耗，可以计算：
PRMS （H ）
+
IRMS(H)2
RDS （ ON）
其中：
P
均方根（H）的
=开关MOSFET的导通损耗;
I
均方根（H）的
=最大开关MOSFET的电流有效值;
R
DS （ ON）
= FET的漏极 - 源极导通电阻
上MOSFET的开关损耗过程中造成的
MOSFET的接通和关断，并可以被确定
通过使用下面的公式：
PSWH
+
PSWH （ON）的
)
PSWH （OFF）的
V
+
IN
IOUT
（ TRISE
)
TFALL ）
6.0T
其中：
P
RMSL
=低端MOSFET的导通损耗;
I
OUT
=负载电流;
D =占空比;
R
DS （ ON）
=低FET的漏极 - 源极导通电阻。
同步MOSFET没有开关损耗，
除了在内部体二极管损耗，因为它变成
上到接近零电压的条件。 MOSFET的体
二极管将在非重叠的时间和进行
导致功耗（忽略反向恢复
损失）可以计算如下：
PSWL
+
VSD
ILOAD
非重叠时间
FSW
其中：
P
太阳能热水器（ ON）
=上MOSFET开关上的损失;
P
太阳能热水器（OFF）的
=上MOSFET关断损耗;
V
IN
=输入电压;
I
OUT
=负载电流;
t
上升
= MOSFET上升时间（从FET制造商
开关特性性能曲线） ;
t
秋天
= MOSFET下降时间（从FET制造商
开关特性性能曲线） ;
T = 1 /女
SW
=时期。
在开关MOSFET的总功率耗散能
然后可计算为：
PHFET （ TOTAL ）
+
PRMSH
)
PSWH （ON）的
)
PSWH （OFF）的
其中：
P
SWL
=较低的FET开关损耗;
V
SD
=下面的FET的源 - 漏电压;
I
负载
=负载电流
非重叠时间= GATE （L ） -to -GA
TE （H）或
GATE （H ） -to -GA
TE （L ），延迟（从CS51313数据表
电气特性部分） ;
F
SW
=开关频率。
在同步的总功率耗散（低级）
MOSFET可以被计算为：
PLFET （ TOTAL ）
+
PRMSL
)
PSWL
其中：
P
LFET （ TOTAL ）
=同步（下） FET的总损失;
P
RMSL
=开关管导通损耗;
P
SWL
=开关损耗。
一旦在同步FET的总功耗
已知的最大的FET开关的结温
可以这样计算：
TJ
+
TA
)
（ PLFET （ TOTAL ）
R
qJA
)
其中：
P
HFET （ TOTAL ）
=总开关（上） MOSFET的损耗;
P
RMSH
=上MOSFET开关的导通损耗;
P
太阳能热水器（ ON）
=上MOSFET开关上的损失;
P
太阳能热水器（OFF）的
=上MOSFET关断损耗。
一旦在开关FET的总功耗是
已知，最大的FET开关的结温能
来计算：
其中：
T
J
= MOSFET的结温;
T
A
=环境温度;
P
LFET （ TOTAL ）
=总同步（下） FET的损失;
R
θJA
=低FET结到环境的热
性。
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