CS51313
其中：
Δt
TR
=输出电压的瞬态响应时间
（由设计者指定） ;
ΔV
帽
=由于输出电容的输出电压偏差
放电;
ΔI
=负载的一步。
在输出电压的总变化作为负荷的结果
电流瞬变可以由以下公式来验证：
DV
OUT
+
DV
ESR
)
DV
ESL
)
DV
帽
第3步：选择占空比，
开关频率，开关导通时间（T
ON
)
和开关关断时间（T
关闭
)
第4步：选择输出电感器
降压转换器的占空比（包括寄生
损失）是由下式给出：
V
)
（ VHFET
)
VL
)
VDROOP ）
占空比
+
D
+
OUT
VIN
)
VLFET
*
VHFET
*
VL
其中：
V
OUT
=降压稳压器的输出电压;
V
HFET
=高侧FET的电压，由于与R降
DS （ ON）
;
V
L
=由于电感线直流输出电感器压降
阻力;
V
垂
=下垂（电流检测）电阻上的电压降;
V
IN
=降压稳压器的输入电压;
V
LFET
=由于与R低侧FET的电压降
DS （ ON）
.
Step3a ：计算开关导通时间
电感器应根据它的电感来选择
电流能力，并且直流电阻。增加
电感值会降低输出电压纹波，但
降解的瞬态响应。有许多因素
考虑在选择电感器，包括成本，效率，
EMI和易于制造。电感器必须能够
处理的峰值电流在开关频率不
饱和，并且在卷绕的铜电阻应
保持尽可能低，以最小化电阻功率损耗。
有多种材料和类型的磁芯
可用于这种应用。其中有
铁氧体，钼坡莫合金芯（ MPP） ，无定形和
铁粉芯。铁粉芯是很
常用的。铁粉芯，非常适合因
它们的高饱和磁通密度和具有高损耗低
频率，分布式间隙，并表现出非常低的EMI。
电感值可由下式确定：
L
+
（VIN
*
VOUT ）
DI
TTR
开关导通时间（时间，在此期间的开关
MOSFET同步降压拓扑结构进行）的
由下式确定：
占空比
吨
+
FSW
其中：
V
IN
=输入电压;
V
OUT
=输出电压;
t
TR
=输出电压的瞬态响应时间（由分配
设计师） ;
ΔI
=负载瞬态。
电感纹波电流然后可确定：
V
DI
L
+
OUT
L
花花公子
其中f
SW
=由所选择的调节器的开关频率
设计师。
更高的工作频率允许使用更小的
电感和电容值。然而，它是常见的
选择较低的频率运转，因为更高的频率
由于MOSFET的栅极电荷导致较低的效率
损失。此外，在较高的使用更小的电感器
频率导致更高的纹波电流，高输出
电压纹波和低效率在轻负载电流。
步骤3b ：开关关断时间的计算
其中：
ΔI
L
=电感纹波电流;
V
OUT
=输出电压;
T
关闭
=开关关断时间;
L =电感值。
设计者现在可以验证，如果输出的数
来自步骤2的电容器将提供可接受的输出
电压纹波（输出电压的1.0％是常见的） 。该
以下公式：
DI
L
+
DV
OUT
ESRMAX
DV
OUT
DI
L
重新排列，我们有：
ESRMAX
+
开关的关断时间（时间在开关
的MOSFET不导通），可由下式确定：
花花公子
+
1.0
*
吨
FSW
了C
关闭
电容值，以便设定被选择
关断时间，T
关闭
上面：
COFF
+
期
(1.0
*
D)
3980
哪里
ESR
最大
=最大允许ESR ;
ΔV
OUT
= 1.0%
×
V
OUT
=最大允许输出
电压纹波（由设计者预算） ;
ΔI
L
=电感纹波电流;
V
OUT
=输出电压。
输出电容器的数量由下式确定：
电容器的数量
+
ESRCAP
ESRMAX
其中：
3980是CS51313的特征因子;
D =占空比。
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