CS51313
为输入电感的最小电感值是
因此：
LIN
+
DV
（DI DT ） MAX
其中：
L
IN
=输入电感值;
ΔV
=电压时满载看到的输入电感器
摆动;
（ di / dt的）
最大
=最大允许输入电流的压摆率
（ 0.1 A / μs的时间为Pentium II电源） 。
设计人员必须选择LC滤波器的极点频率，
至少有40 dB的衰减是在调节器得到的
开关频率。 LC滤波器是一个双刀网络
同的斜率
2,
-40分贝/十一个滚降率，以及
转角频率：
fC
+
1.0
2.0p LC
其中：
L =输入电感;
C =输入电容（S ） 。
第7步：选择开关FET的
场效应管基础知识
利用MOSFET的一个电源开关被推进
两个原因：1 ）
其极高的输入阻抗;
及2）
它非常
较快的开关速度。
的电气特性
的MOSFET都被认为是那些完美开关。
因此，控制和驱动电路的功率减小。
因为输入阻抗非常高，这是电压驱动。
MOSFET的输入的作用就好像它是一个小的电容器，
该驱动电路的收费必须在导通。低
驱动器阻抗，V的上升率越高
GS
和
更快的开启时间。在功耗
开关MOSFET组成1 ）导通损耗， 2 ）
泄漏损失， 3 ）导通开关损耗; 4）关闭
开关损耗，以及5）栅极转换损失。后者
3损耗正比于频率。对于
目前正在进行的功耗有效值和
电阻用于真实功率计算。快
MOSFET的开关速度使得它不可缺少的
高频电源的应用。不仅是
切换功率损耗减至最小，而且最大限度
可使用的开关频率是相当高的。
切换时间是与温度无关。另外，在
更高的频率，使用更小和更轻的
部件（变压器，滤波电抗器，滤波电容）
同时使用更少的空间减少整体元件成本
更高效的包装以较低的权重。
所述MOSFET具有纯容性输入阻抗。没有
直流电流是必需的。重要的是要记住的很重要
FET的漏极电流具有负温度
系数。温度的升高将导致更高
导通电阻和更大的漏电流。切换
电路，V
DS （ ON）
应该是低功耗降至最低
耗散在一个给定的ID，和V
GS
应该是高
做到这一点。 MOSFET的开关时间确定
由器件的电容，寄生电容和阻抗
栅极驱动电路的。因此，栅极驱动电路必须
具有高瞬时电流峰值采购和下沉
能力，用于切换的MOSFET 。输入
电容，输出电容和反向传输
电容也具有提高器件的电流增大
投资评级。
两方面的考虑估计复杂的任务
开关时间。首先，由于输入的幅度
电容C
国际空间站
，随V
DS
的RC时间常数
通过将栅极驱动器阻抗和C确定
国际空间站
变化
在开关周期。因此，计算
栅极电压的通过使用特定的上升时间
只有一个栅极驱动阻抗和输入电容产
粗略的估计。第二个考虑是的效果
“米勒”电容C
RSS
，其称为C
DG
in
下面的讨论。例如，当设备打开时，
V
DS （ ON）
相当小， V
GS
大约是12 V.
DG
is
充电到V
DS （ ON）
V
GS
，这是一个负电位，如果
漏被认为是正极。当
排水是“关， ”C
DG
被充电到一个完全不同的电势。
在这种情况下， C两端的电压
DG
是因为正值
电位从栅极到源极接近零伏和V
DS
基本上与漏极电压。在导通和
关断，这些大的波动在栅 - 漏电压税
电流源和栅极驱动器的下沉能力。
除了充电和放电
GS
中，栅极驱动器
还必须提供所要求的位移电流
C
DG
(I
门
= C
DG
dV
DG
/ DT ） 。除非栅极驱动
阻抗是很低的，在V
GS
常用的波形
期间，在漏 - 源极的快速变化的高原
电压。
的场效应晶体管性能的最重要的方面是
静态漏 - 源极导通电阻（R
DS （ ON）
），其
效果调节器效率和场效应管的热管理
要求。的导通电阻确定的量
电流的FET可以处理没有过多的权力
散热可能导致过热，并可能
灾难性故障。作为漏电流的增大，特别是
上述连续得分，导通电阻也
增加。它的正温度系数之间
+ 0.6 ％/℃和+ 0.85 ％/℃ 。较高的导通电阻的
大的传导损耗。此外，场效应管的栅极
电荷应该低，以最小化开关损耗
并降低功耗。
两个逻辑电平与标准场效应晶体管都可以使用。该
参考设计源于12 V电源栅极驱动，
这是一般可用大多数计算机系统和
利用逻辑电平场效应管。
加到FET栅极电压取决于
应用电路中使用。上部和下部栅极驱动器
输出指定的来车往内1.5 V的地面时，
在低电平状态和内2.0V的各自偏差的
耗材状态为高电平时。在实践中，FET栅极
将被驱动轨到轨由于过冲引起的
容性负载它们呈现给控制器IC 。
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