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Spartan-3系列FPGA系列：功能描述
块RAM和倍增器之间有互联
他们说，允许同时运行;然而，由于
乘法器股输入与块的上边的数据位
的RAM ，该RAM块的最大数据路径宽度是18
位在此情况下。
纵横比 - 即，宽度与深度 - 每块
RAM是可配置的。此外，多个块可以是
级联创建还是更广泛的和/或更深的记忆。
基元之间选择确定块
RAM功能的双核或单端口存储器。的名字
形式RAM16_S [W
A
] _S [W
B
]召唤出双端口原语
略去，其中所述整数瓦特
A
和W
B
指定的总数据
道路宽度在油口
A
和W
B
上。因此，一个
RAM16_S9_S18是一个双口RAM与9位宽的端口A
和形式RAM16_S的18位宽的端口B的名称[ W]
识别单端口原始，其中整数瓦特
指定唯一的端口的总数据路径宽度。一
RAM16_S18是一个单端口RAM具有18位宽的端口。
其他记忆功能 - 例如， FIFO中，数据路径宽度
转换， ROM等 - 是容易获得的使用
的CORE Generator 系统，赛灵思开发的一部分
软件。
块RAM的内部结构
块RAM具有双端口结构。在两个相同的
数据端口打电话给A和B允许独立访问
常见的内存块，其中有一个最大容量
18,432位 - 或者无奇偶校验线用于16,384位。
每个端口都有自己专用的一组数据，控制和
时钟线同步读取和写入操作。
有四种基本的数据路径，如图
图7：
(1)
写和从A口读， （ 2 ）写入和读取港
B， （ 3 ）从端口A数据传输端口B ;（4 ）数据传输
FER从端口B到A口
RAM块的配模
该XC3S50有块RAM一列。 Spartan-3系列
设备包括从XC3S200到XC3S2000有两个
块RAM列。该XC3S4000和XC3S5000
有四列。列上的冲模的位置是
所示
图1
模块1 ：
简介和订购
信息。
对于给定的装置中，总的可用RAM
块被平均分配的列中。
表8
示出的RAM块的数量，所述数据储容量
性，并且为每个设备中的列数。
表8：
RAM阻止对设备号
总数
RAM块
4
12
16
24
32
40
96
104
总
寻址
位置（位）
73,728
221,184
294,912
442,368
589,824
737,280
1,769,472
1,916,928
数
of
柱
1
2
2
2
2
2
4
4
写
4读
阅读3
写
Spartan-3
双端口
块RAM
写
1
读
端口B
端口A
写
2
读
DS099-2_12_030703
图7：
块RAM数据路径
设备
XC3S50
XC3S200
XC3S400
XC3S1000
XC3S1500
XC3S2000
XC3S4000
XC3S5000
块RAM端口信号定义
交涉
of
该
双端口
原始
RAM16_S[w
A
] _S [W
B
]和单端口原始
RAM16_S [瓦特]与它们相关联的信号示于
图8A
和
图8B中，
分别。这些信号是
德网络中定义
表9 。
DS099-2 （ V1.3 ） 2004年8月24日
初步产品规格
www.xilinx.com
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