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怀特电子设计
选择的起始列的位置。输入A10的值
确定自动预充电是否使用。如果
自动预充电被选择时，被访问的行
在写突发年底将进行预充电;如果AUTO
预充电没有被选中，该行将继续开放供
后续访问。出现在我的输入数据/ O的
写入到存储器阵列受DQM输入逻辑
水平出现一致的数据。如果一个给定的DQM
信号被登记低电平，对应的数据将
写入到存储器中;如果DQM信号被注册HIGH ，
相应的数据输入将被忽略，并且一写
将不被执行到该字节/列位置。
WEDPN4M64V-XBX
注册读或写命令前BURST
TERMINATE命令将被截断。
自动刷新
的正常操作期间自动刷新时
在SDRAM和很是类似CAS ＃ -before - RAS ＃
（ CBR ）刷新传统的DRAM 。此命令
是非持久性的，所以必须每次都发出刷新
是必须的。
寻址是由内部刷新生成
控制器。这使得地址位在“不关心”
一个自动刷新命令。 64MB的SDRAM要求
4096自动刷新周期每一个刷新周期（T
REF
),
无论宽度选项。提供分布式自动
刷新命令将满足要求刷新
并确保每一行刷新。另外， 4096
自动刷新命令可以在一个突发的发行
最小周期率（T
RC
） ，每一次刷新周期
(t
REF
).
预充电
在预充电命令用于停用
开行特定的银行或开行的所有银行。
该行（ S）将可在接下来的行访问
一个特定的编辑时间（t
RP
）之后的预充电命令
发行。输入A10确定是否一个或所有银行都
为预充电，并且在所述情况下，只有一个存储体
就是被预充电，输入BA0 ， BA1选择银行。
否则BA0 ， BA1被视为“不关心”。一旦
银行已经被预充电，它是在空闲状态和绝
在任何读取或写入的命令是之前被激活
颁发给该银行。
自刷新*
在自刷新命令可以用来保留数据
在SDRAM中，即使该系统的其余部分是有源
下来。当在自刷新模式中，SDRAM保留
数据无需外部时钟。自刷新
命令，就像是一个自动刷新命令启动
除CKE被禁用（ LOW） 。一旦自刷新
命令注册，全部投入到SDRAM中成为
“不关心”，除CKE ，它必须保持
低。
一旦自刷新模式时，在SDRAM中规定
其自己的内部时钟，使之执行它自己的自动
刷新周期。在SDRAM必须保持自刷新
模式的最小周期等于tRAS的并且可能会继续
在自刷新模式之外，一个不知疲倦无限的时期。
对于退出自刷新的过程需要一个序列
命令。首先， CK必须稳定（稳定的时钟是德网络斯内德
因为在时间限制特定网络版的信号自行车
时钟脚）前CKE回到高电平。一旦CKE是
高，必须有NOP指令发出的SDRAM （一
最小的2个时钟）为吨
XSR
，是必需的，因为时间
为完成正在进行的任何内部刷新。
在退出自刷新模式，自动刷新
命令必须出具既是自刷新和
自动刷新使用该行刷新计数器。
*
自刷新唯一的商业及工业温度可用。
自动预充电
自动预充电是一种特性，它执行相同的
个别银行预充电功能如上所述，
而无需显式命令。这是通过
通过A10 ，使自动预充电相结合
有一个特定的C读取或写入命令。的预充电
与该读取或写入解决银行/行
命令完成后自动执行
读或写突发，除了在全页突发
模式，其中，自动预充电不适用。 AUTO
PRECHARGE是非持久性的，它是已启用或
对于每个单独的READ或WRITE命令禁用。
自动预充电可以确保预充电启动
在一个脉冲串内的最早的有效阶段。必须将用户
没有发出另一个命令在同一行，直到
预充电时间（t
RP
）就完成了。这被确定为
如果在发出一个明确的预充电命令
最早可能时间。
BURST TERMINATE
该BURST TERMINATE命令用于截断
无论是网络连接固定的长度，或整页阵阵。最近
2005年1月
启8
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8
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