CY62167EV18的MoBL
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用........................................... -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在.......................... -0.2V至2.45V （V
CC
（最大） + 0.2V ）
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[5, 6]
........... -0.2V至2.45V （V
CC
（最大） + 0.2V ）
直流输入电压
[5, 6]
....... -0.2V至2.45V （V
CC
（最大） + 0.2V ）
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ....... >200毫安
工作范围
设备
CY62167EV18LL
范围
环境
温度
V
CC
[7]
工业-40 ° C至+ 85°C 1.65V到2.25V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
CE自动断电
电流 - CMOS输入
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 1.65V到2.25V
V
CC
= 1.65V到2.25V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CC
（最大）
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
1.4
–0.2
–1
–1
25
2.2
1.5
55纳秒
民
1.4
0.2
V
CC
+ 0.2V
0.4
+1
+1
30
4.0
12
典型值
[4]
最大
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
I
SB1
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ）
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
V
CC
= V
CC
（最大）
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= V
CC
（最大）
I
SB2[8]
CE自动断电
电流 - CMOS输入
1.5
12
A
电容
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
笔记
5. V
IL
（分钟） = -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7.完全设备AC操作是基于一个100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
8.只有芯片使能（ CE
1
和CE
2
）和字节使能（ BHE和BLE）必须与CMOS电平，以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号： 38-05447牧师* E
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