位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第182页 > CY62167EV18LL-55BVXI > CY62167EV18LL-55BVXI PDF资料 > CY62167EV18LL-55BVXI PDF资料1第1页
CY62167EV18的MoBL
16兆位（ 1M ×16 ）静态RAM
特点
■
■
■
超高速： 55纳秒
宽电压范围： 1.65V - 2.25V
超低待机功耗
典型待机电流： 1.5
A
最大待机电流： 12
A
超低有功功率
典型工作电流2.2毫安， F = 1兆赫
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
提供无铅48球VFBGA封装
由99％时，地址不切换。将设备插入
当取消待机模式（ CE
1
高或CE
2
LOW或两者
BHE和BLE的高） 。的输入和输出引脚（IO
0
通过
IO
15
）被置于高阻抗状态时：所述设备是
取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW ） ;输出被禁止（ OE
HIGH） ;这两个高字节使能和低字节使能禁用
（ BHE ， BLE HIGH） ;和一个写操作正在进行（CE
1
低，CE
2
HIGH和LOW WE ） 。
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从IO引脚上的数据（ IO
0
通过IO
7
）被写入
插入地址引脚指定的位置（A
0
至A
19
).
如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从IO引脚上的数据（ IO
8
通过IO
15
）写入到该地址中指定的位置
销（A
0
至A
19
).
从设备读取，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从由地址引脚指定的存储单元出现
在IO
0
到IO
7
。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从数据
内存出现在IO
8
到IO
15
。见
第9页上的真值表
用于读取和写入模式的完整描述。
为了获得最佳的实践建议，请参阅赛普拉斯
应用说明
AN1064 ， SRAM系统的指导。
■
■
■
■
■
功能说明
该CY62167EV18是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为100万字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可降低功耗
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
1M × 16
RAM阵列
检测放大器
IO
0
= 10
7
IO
8
= 10
15
列解码器
CE
2
BHE
掉电
电路
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
CE
1
BHE
BLE
WE
OE
BLE
CE
2
CE
1
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05447牧师* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年8月16日
