位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2596页 > MX28F640C3TXAI-12 > MX28F640C3TXAI-12 PDF资料 > MX28F640C3TXAI-12 PDF资料1第2页
MX28F640C3T/B
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX28F640C3T / B采用的是2.7V 3.6V的VCC支持
帘布层进行高可靠性擦除和经销商亲
克/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
专用VPP引脚提供了完整的数据保护
当VPP< VPPLK 。
A命令的用户界面（ CUI）作为跨
系统处理器和内部操作之间脸
化设备。写一个有效的命令序列
崔启动设备的自动化。内部写
状态机（ WSM ）自动执行algo-
需要擦除rithms和时序，整片擦除，
字写和部门锁定/解锁配置操作
系统蒸发散。
扇区擦除操作将擦除设备的32K-之一
通常在1.0秒， 4K字的单词行业典型行业
在0.5S美云独立于其他部门。每节
器可独立擦除的最小100,000次。
扇区擦除暂停模式允许系统软件
暂停扇区擦除从任何其他读取或写入数据
部门。
写入存储器的数据以字为单位执行
在0.8S一般设备的32K字部门和
4K字部门内0.1S一般。 Word程序可持
挂起模式使系统能够读取的数据或执行
从任何其它存储器阵列的位置的代码。
个别部门MX28F640C3T / B提供锁相
通过使用位39部门的联合荷兰国际集团锁相
位和WP ，锁定和解锁部门。
状态寄存器指示时， WSM的部门
擦除，整片擦除， Word程序或锁定的配置
化操作就完成了。
访问时间为90 / 120ns的（ tELQV ）在operat-
荷兰国际集团级温度范围（ -40°至+ 80 °和VCC电源
C
C)
电压范围为2.7V的3.6V 。
MX28F640C3T / B的省电模式功能substan-
tially降低有功电流时，该设备是在静态
模式（地址不切换） 。在这种模式下，典型
CAL ICCS电流7UA （ CMOS） ，在3.0V VCC 。
由于CE和RESET处于VCC ， ICC CMOS待机
模式被启用。当Reset为GND ，复位
模式被启用可大大降低功耗，
提供的数据写保护。
复位时间（ tPHQV ）从RESET开关所需
高到输出有效。类似地，该装置具有一个
从RESET高唤醒时间（ tPHEL ），直到写到
崔认可。与RESET GND时，该WSM是
复位和状态寄存器被清除。
P / N ： PM0900
REV 。 0.6 ，八月20 ， 2003
2
