先进的信息
MX28F640C3T/B
64M - BIT [ 4M X16 ] CMOS单电压
3V ONLY FLASH MEMORY
特点
位组织： 4,194,304 ×16
单电源工作
- 仅3.0V的读取，擦除和编程操作
手术
- VCC = VCCQ = 2.7 3.6V
- 工作温度： -40 °
C~85°
C
快速存取时间： 90 / 120ns的
低功耗
- 9毫安最活跃的读取电流， F = 5MHz时（ CMOS
INPUT）
- 21毫安程序擦除电流最大
(VPP=1.65~3.6V)
- 在节能7UA典型待机电流
模式
部门架构
- 扇区擦除（部门结构： 4Kword ×2 （启动
行业） ， 4Kword ×6 （参数扇区） ， 32Kword X
127 （参数扇区）
- 顶部/底部启动
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
自动暂停增强
- 字写暂停阅读
- 扇区擦除挂起到字写
- 扇区擦除挂起读取寄存器报告
自动扇区擦除，整片擦除，字写和
部门锁定/解锁配置
状态回复
- 检测编程和擦除操作完井
化。
- 命令的用户界面（ CUI）
- 状态寄存器（ SR ）
数据保护性能
- 包括引导扇区及参数和主要部门
是块/解锁
100000最小擦除/编程周期
通用闪存接口（ CFI ）
128位注册保护
- 64位的唯一设备标识符
- 64位用户可编程
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
包装类型：
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 48球CSP （ 11毫米x 12毫米）
概述
该MX28F640C3T / B为64兆比特的闪存
内部组织为16位4M字。数据100万字
被布置在8 4Kword引导和参数扇区，
127 32Kword主要部门，独立地是
擦除。旺宏的快闪记忆体提供最具成本
有效和可靠的读/写非易失性随机AC-
塞斯内存。该MX28F640C3T / B被封装在48-
引脚TSOP和48球CSP 。它被设计成可重现
编程和擦除系统或标准EPROM
程序员。
标准MX28F640C3T / B提供了存取时间为
高速微处理器的速度是为90ns ，使操作
处理机无需等待。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX28F640C3T / B使用命令寄存器管理
此功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
P / N ： PM0900
REV 。 0.6 ，八月20 ， 2003
1
MX28F640C3T/B
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX28F640C3T / B采用的是2.7V 3.6V的VCC支持
帘布层进行高可靠性擦除和经销商亲
克/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
专用VPP引脚提供了完整的数据保护
当VPP< VPPLK 。
A命令的用户界面（ CUI）作为跨
系统处理器和内部操作之间脸
化设备。写一个有效的命令序列
崔启动设备的自动化。内部写
状态机（ WSM ）自动执行algo-
需要擦除rithms和时序，整片擦除，
字写和部门锁定/解锁配置操作
系统蒸发散。
扇区擦除操作将擦除设备的32K-之一
通常在1.0秒， 4K字的单词行业典型行业
在0.5S美云独立于其他部门。每节
器可独立擦除的最小100,000次。
扇区擦除暂停模式允许系统软件
暂停扇区擦除从任何其他读取或写入数据
部门。
写入存储器的数据以字为单位执行
在0.8S一般设备的32K字部门和
4K字部门内0.1S一般。 Word程序可持
挂起模式使系统能够读取的数据或执行
从任何其它存储器阵列的位置的代码。
个别部门MX28F640C3T / B提供锁相
通过使用位39部门的联合荷兰国际集团锁相
位和WP ，锁定和解锁部门。
状态寄存器指示时， WSM的部门
擦除，整片擦除， Word程序或锁定的配置
化操作就完成了。
访问时间为90 / 120ns的（ tELQV ）在operat-
荷兰国际集团级温度范围（ -40°至+ 80 °和VCC电源
C
C)
电压范围为2.7V的3.6V 。
MX28F640C3T / B的省电模式功能substan-
tially降低有功电流时，该设备是在静态
模式（地址不切换） 。在这种模式下，典型
CAL ICCS电流7UA （ CMOS） ，在3.0V VCC 。
由于CE和RESET处于VCC ， ICC CMOS待机
模式被启用。当Reset为GND ，复位
模式被启用可大大降低功耗，
提供的数据写保护。
复位时间（ tPHQV ）从RESET开关所需
高到输出有效。类似地，该装置具有一个
从RESET高唤醒时间（ tPHEL ），直到写到
崔认可。与RESET GND时，该WSM是
复位和状态寄存器被清除。
P / N ： PM0900
REV 。 0.6 ，八月20 ， 2003
2
MX28F640C3T/B
销刀豆网络gurations
48 TSOP （标准型） （12毫米X 20毫米）
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A21
A20
WE
RESET
VPP
WP
A19
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
VCCQ
GND
Q15
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
Q11
Q3
Q10
Q2
Q9
Q1
Q8
Q0
OE
GND
CE
A0
MX28F640C3T/B
48球CSP （11毫米× 12mm）中顶视图，球下来（球间距= 0.75毫米，球宽= 0.35毫米）
A1
A13
B1
A14
C1
A15
D1
A16
E1
VCCQ
F1
GND
A2
A11
B2
A10
C2
A12
D2
Q14
E2
Q15
F2
Q7
A3
A8
B3
WE
C3
A9
D3
Q5
E3
Q6
F3
Q13
A4
VPP
B4
RESET
C4
A21
D4
Q11
E4
Q12
F4
Q4
A5
WP
B5
A18
C5
A20
D5
Q2
E5
Q3
F5
VCC
A6
A19
B6
A17
C6
A6
D6
Q8
E6
Q9
F6
Q10
A7
A7
B7
A5
C7
A3
D7
CE
E7
Q0
F7
Q1
A8
A4
B8
A2
C8
A1
12 mm
D8
A0
E8
GND
F8
OE
11 mm
P / N ： PM0900
REV 。 0.6 ，八月20 ， 2003
4
MX28F640C3T/B
表1.引脚说明
符号
A0-A21
TYPE
输入
说明与功能
地址输入的内存地址。数据引脚悬空为高阻抗当芯片
取消或输出禁用。地址写在内部锁存或
擦除周期。
Q0-Q15
输入/输出
数据输入/输出：在第二CE和WE周期阵列的输入数据的过程中亲
克命令。数据在内部锁存。输出阵列和配置数据。该
数据引脚悬空为三态时，芯片将被取消选择。
CE
输入
激活该设备的控制逻辑电路，输入缓冲器和读出放大器。 CE DE-高
选择存储设备，并降低功耗待机状态电平。 CE是
低电平有效。
RESET
输入
复位深度掉电：当RESET = VIL ，设备处于复位/深度掉电
模式，它驱动输出高阻，复位WSM并最大限度地减少目前的水平。
当RESET = VIH ，该设备正常运行。当RESET转换设备
WE
VPP
输入
输入/电源
默认为读阵列模式。
写使能：控制写入崔和阵列领域。 WR = VIL变得活跃。该
数据和地址锁存WE在第二WE脉冲的上升沿。
编程/擦除电源： （ 1.65V 3.6V ）
低VPP<VPPLK ，以防止编程和擦除命令的任何内容。
设置VPP = VCC为在系统读取，编程和擦除操作。
输出使能：在一个真正的循环闸设备的输出。
写入保护功能：当WP为VIL ，引导区无法写入或擦除。当WP
为VIH ，锁定引导扇区无法写入或擦除。可湿性粉剂不受影响参数
和主要部门。
设备供电： （ 2.7V 3.6V ） 。
I / O电源：电源输入/输出缓冲器。
[ 2.7V 3.6V ]此输入应直接连接到VCC 。
接地电压：所有的GND引脚不得连接。
OE
WP
输入
输入
VCC
VCCQ
GND
供应
输入
供应
P / N ： PM0900
REV 。 0.6 ，八月20 ， 2003
5
QQ：2881677436 复制
