MC14106B
六角施密特触发器
该MC14106B六角施密特触发器与MOS构造
在一个单一的P沟道和N沟道增强型器件
单片结构。这些设备发现的主要用途，其中低功率
耗散和/或高抗噪能力是需要的。该MC14106B
可代替MC14069UB六角逆变器可用于增强
抗噪声能力或为“方达”慢慢改变波形。
该器件包含保护电路，以防止损坏
由于高的静态电压或电场。但是，注意事项
必须注意避免任何电压的应用高于
最大额定电压至该高阻抗电路。为了正确
操作时， V
in
和V
OUT
应限制到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压
电平（例如，无论是V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
特点
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记号
图表
14
MC14106BCP
AWLYYWWG
PDIP14
P后缀
CASE 646
1
14
14106BG
AWLYWW
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
增加的滞后电压在MC14584B
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
引脚对引脚置换CD40106B和MM74C14
可以用来更换MC14584B或MC14069UB
无铅包可用
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，每包
（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
0.5
至18.0
0.5
到V
DD
+ 0.5
±
10
500
55
+125
65
+150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
14
14
1
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
14
106B
ALYWG
G
A
=大会地点
WL ， L =晶圆地段
YY ，Y =年
WW ，W =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.温度降额：塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从
65 ° C至125°C
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年10月，
启示录7
1
出版订单号：
MC14106B/D
MC14106B
1
3
5
9
11
13
V
DD
= 14针
V
SS
= 7针
2
4
6
8
10
12
图1.逻辑图
图2.等效电路图
（电路的1/6所示）
订购信息
设备
MC14106BCP
MC14106BCPG
MC14106BD
MC14106BDG
MC14106BDR2
MC14106BDR2G
MC14106BDTR2
MC14106BDTR2G
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
TSSOP14*
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
25单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
电气特性
（电压参考V
SS
)
总电源电流（注3，注4 ）
（动态加静态，
每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，全
缓冲切换）
静态电流
（每包）
输入电容
(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
阈值电压
正向
滞后电压
输出电压
V
in
= V
DD
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
负向
V
in
= 0
特征
“0”电平
“1”电平
来源
SINK
符号
V
H (5)
V
OH
V
OL
V
T+
V
T–
I
OH
I
DD
I
OL
C
in
I
in
I
T
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
民
0.9
2.5
4.0
2.2
4.6
6.8
0.3
1.2
1.6
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给定的公式仅用于在25℃下的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK在哪里
T
在
mA
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
– V
SS
）在伏，女为kHz输入频率，
k = 0.001.
5. V
H =
V
T+
– V
T–
（但是V的最大变化
H
被指定为小于V
T +最大
– V
T-分钟
).
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MC14106B
55°C
3
0.25
0.5
1.0
±0.1
3.6
7.1
10.8
0.05
0.05
0.05
最大
2.8
5.2
7.4
2.0
3.4
5.0
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
民
0.9
2.5
4.0
2.2
4.6
6.8
0.3
1.2
1.6
I
T
= (1.8
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (3.6
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (5.4
毫安/千赫）
F +我
DD
±
0.00001
0.0005
0.0010
0.0015
典型值
(2)
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
25°C
0.88
2.25
8.8
5.0
1.9
3.9
5.8
2.9
5.9
8.8
1.1
1.7
2.1
5.0
10
15
0
0
0
3.6
7.1
10.8
0.25
0.5
1.0
±0.1
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
2.8
5.2
7.4
2.0
3.4
5.0
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
民
0.9
2.5
4.0
2.2
4.6
6.8
0.3
1.2
1.6
125°C
3.6
7.1
10.8
±1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
15
30
2.8
5.2
7.4
2.0
3.4
5.0
MADC
MADC
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
MC14106B
VOUT ，输出电压（VDC ）
开关特性
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25°C)
特征
符号
t
TLH
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
民
典型值
(6)
100
50
40
100
50
40
125
50
40
最大
200
100
80
200
100
80
250
100
80
单位
ns
输出上升时间
输出下降时间
t
THL
ns
传播延迟时间
t
PLH
, t
PHL
ns
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
脉冲
发电机
V
DD
14
产量
输入
7
V
SS
C
L
t
PHL
产量
t
f
90%
50%
10%
t
r
20纳秒
输入
90%
50%
10%
t
PLH
20纳秒
V
DD
V
SS
V
OH
V
OL
图1.开关时间测试电路和波形
V
DD
0
0
V
T
V
H
V
in
，输入电压（VDC ）
V
T+
V
DD
图2.典型的传输特性
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
