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先进的信息
MX28F640C3T/B
64M - BIT [ 4M X16 ] CMOS单电压
3V ONLY FLASH MEMORY
特点
位组织： 4,194,304 ×16
单电源工作
- 仅3.0V的读取，擦除和编程操作
手术
- VCC = VCCQ = 2.7 3.6V
- 工作温度： -40 °
C~85°
C
快速存取时间： 90 / 120ns的
低功耗
- 9毫安最活跃的读取电流， F = 5MHz时（ CMOS
INPUT）
- 21毫安程序擦除电流最大
(VPP=1.65~3.6V)
- 在节能7UA典型待机电流
模式
部门架构
- 扇区擦除（部门结构： 4Kword ×2 （启动
行业） ， 4Kword ×6 （参数扇区） ， 32Kword X
127 （参数扇区）
- 顶部/底部启动
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
自动暂停增强
- 字写暂停阅读
- 扇区擦除挂起到字写
- 扇区擦除挂起读取寄存器报告
自动扇区擦除，整片擦除，字写和
部门锁定/解锁配置
状态回复
- 检测编程和擦除操作完井
化。
- 命令的用户界面（ CUI）
- 状态寄存器（ SR ）
数据保护性能
- 包括引导扇区及参数和主要部门
是块/解锁
100000最小擦除/编程周期
通用闪存接口（ CFI ）
128位注册保护
- 64位的唯一设备标识符
- 64位用户可编程
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
包装类型：
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 48球CSP （ 11毫米x 12毫米）
概述
该MX28F640C3T / B为64兆比特的闪存
内部组织为16位4M字。数据100万字
被布置在8 4Kword引导和参数扇区，
127 32Kword主要部门，独立地是
擦除。旺宏的快闪记忆体提供最具成本
有效和可靠的读/写非易失性随机AC-
塞斯内存。该MX28F640C3T / B被封装在48-
引脚TSOP和48球CSP 。它被设计成可重现
编程和擦除系统或标准EPROM
程序员。
标准MX28F640C3T / B提供了存取时间为
高速微处理器的速度是为90ns ，使操作
处理机无需等待。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX28F640C3T / B使用命令寄存器管理
此功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
P / N ： PM0900
REV 。 0.6 ，八月20 ， 2003
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