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MX28F640C3T/B
2个运行原理
该产品包括一个片上的WSM管理仲
器擦除，字写和锁定位配置功能。
经过最初的设备上电或回归从复位模式
（见公交运营部分） ，该设备默认
读阵列模式。的外部存储器CON-操纵
控制引脚允许阵列读取，待机和输出禁止
操作。
状态寄存器中，识别码可被访问
通过崔独立的VPP电压。所有
以改变存储器的内容，节相关的功能
器擦除，字写，部门锁定/解锁，状态和iDEN的
tifier码 - 通过崔访问和验证
通过状态寄存器。
命令使用标准微处理器写
写时序。崔内容作为输入
WSM ，它控制扇区擦除，字写和
部门锁定/解锁。内部算法进行调节
通过WSM ，包括脉冲重复，内部verifica-
化和数据的裕度。地址和数据在 -
在写周期ternally锁定。地址锁存
在CE和数据的下降沿锁存在上升沿
WE 。写相应的命令输出数组数据，
访问识别码或输出状态寄存器
数据。
发起和调查进度界面软件
扇区擦除，整片擦除，字写和部门锁定/
解锁可以存储在任何扇区。此代码被复制
和闪存中的系统RAM中执行
更新。成功完成后，读的又
可以通过读阵列命令。扇区擦除可持
挂起允许系统软件挂起扇区擦除
到读/写数据从/到扇区以外哪
是暂停。字写暂停允许系统软件
暂停一个字写入其他任何读取数据
快闪存储器阵列的位置。
随着部门锁定，内存内容的机制
不能由于噪声或不想要的操作改变。
当RESET = VIH和VCC<VLKO （锁定电压） ，
任何数据写改动可能失败。在读OP-
关合作，如果写VPP电压低于VPPLK ，那么硬
洁具级数据保护来实现。与崔的两
步命令序列扇区擦除，字写或
部门锁定/解锁，软件级别的数据保护
也实现了。
3总线操作
本地CPU读取和在系写入闪速存储器
统。所有的总线周期来或从闪速存储器符合
标准的微处理器总线周期。
3.1读
信息可以从任何部门，配置读取
独立的VPP电压的代码或状态寄存器
年龄。复位可在VIH 。
第一个任务是编写相应的阅读模式的COM
命令（读阵列，读取配置，读取或查询
读状态寄存器）的CUI 。在初始设备
上电或复位时的模式退出后，设备自动
matically复位到读阵列模式。为了读
数据，控制引脚用于设置CE ， OE ， WE ， RESET和WP
必须被驱动到激活状态。 CE和OE必须积极
得到的数据输出。 CE的设备选择
控制权。 OE是数据输出（ Q0- Q15 ）的控制，以及交流
略去驱动所选择的存储器的数据到I / O总线，
我们必须VIH ， RESET必须VIH ， WP必须为
VIL或VIH 。
3.2输出禁止
用OE处于逻辑高电平（ VIH ） ，器件输出
被禁用。输出引脚（ Q0- Q15 ）被放置在一个高
阻抗状态。
3.3待机
行政长官在逻辑高电平（ VIH ）将器件置于
待机模式，大大降低了设备功耗
消费。 Q0 Q15输出被放置在高im-
pedance国家独立OE的。如果在取消
扇区擦除，字写或部门锁定/解锁，单片机
副持续运作，并消耗有功功率
直到操作完成。
3.4复位
由于RESET = VIL ，它启动复位模式。该装置
进入复位/深度掉电模式。然而，数据
存储在存储器中具有至少100ns到持续
在读取模式前的设备变为取消
REV 。 0.6 ，八月20 ， 2003
P / N ： PM0900
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