PHOTO FET光耦合器
H11F1 H11F2 H11F3
载带特定网络阳离子
12.0
±
0.1
4.85
±
0.20
0.30
±
0.05
4.0
±
0.1
4.0
±
0.1
1.55
±
0.05
1.75
±
0.10
7.5
±
0.1
13.2
±
0.2
9.55
±
0.20
16.0
±
0.3
0.1最大
10.30
±
0.20
1.6
±
0.1
饲料用户方向
记
所有尺寸为英寸（毫米）
磁带和卷轴数量为1000件每卷
再溢流廓（黑色包装，没有SUF网络X）
300
温度（℃）
250
200
150
100
50
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
225℃峰值
215°C,
10–30 s
时间以上183℃ ，
60-150秒
坡道= 3C /秒
3.5
4
4.5
峰值回流焊温度： 225℃
（封装表面温度）
温度高于183℃时
为60-150秒
有一次回流焊接建议
时间（分钟）
2003仙童半导体公司
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