PHOTO FET光耦合器
H11F1 H11F2 H11F3
包
概要
阳极1
6
产量
期限。
6
1
6
阴极2
5
1
3
4
产量
期限。
6
1
描述
该H11F系列由耦合到对称的双向硅光电一个镓铝砷化物的IRED发光二极管的
探测器。该检测器是由输入电隔离，并进行象一个理想的分离的场效应管设计为无失真的
控制的低电平的交流和直流模拟信号。该H11F系列装置安装在双列直插式封装。
特点
作为远程可变电阻
≤
100
to
≥
300 M
≥
99.9 ％线性
≤
15 pF的电容并联
≥
100 G
I / O绝缘电阻
作为模拟开关
极低的失调电压
60 V
PK- PK
信号的能力
无电荷注入或闭锁
t
on
, t
关闭
≤
15 S
?? UL认证（文件号E90700 ）
VDE认可（文件＃ E94766 ）
- 订购选项' 300' （例如H11F1.300 ）
应用
作为一个可变电阻 -
隔离可变衰减器
- 自动增益控制
主动滤波器连接NE调整/带开关
作为模拟开关 -
隔离采样和保持电路
复用，光隔离的A / D转换
2003仙童半导体公司
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