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初步
EMC646SP16K
4Mx16 CellularRAM的AD- MUX
表14 ：异步写周期时序要求
参数
地址和ADV ＃低设置时间为WE＃ LOW
从ADV ＃变高地址保持
地址设置为ADV ＃变高
地址有效到写结束
LB ＃ / UB ＃选择写入结束
随后的异步操作之间CE ＃高
CE＃低到ADV ＃高
芯片使能写操作的结束
从时间写数据保持
数据写入建立时间
芯片禁用等待高阻输出
ADV ＃脉冲宽度
ADV ＃设置要写入的结束
写DQ高阻输出
把脉冲宽度
写恢复时间
符号
t
AS
t
AVH
t
AVS
t
AW
t
BW
t
CPH
t
CVS
t
CW
t
DH
t
DW
t
HZ
t
VP
t
VS
t
WHZ
t
WP
t
WR
民
0
2
5
70
70
5
7
70
0
20
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
7
5
70
7
45
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
1
2
注意：
1，高阻测量时序无论从伏100mV的转变
OH
或V
OL
对VCCQ / 2 。
2. WE＃低电平时间必须限制在吨
CEM
(4s).
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